Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ký ức nano kim loại. I. Thiết kế và chế tạo thiết bị
Tóm tắt
Bài báo này mô tả các nguyên tắc thiết kế và quy trình chế tạo của các bộ nhớ nano kim loại. Những lợi thế của các tinh thể nano kim loại so với các chất bán dẫn tương ứng bao gồm mật độ trạng thái cao hơn, tương tác mạnh mẽ hơn với kênh dẫn, khả năng mở rộng kích thước tốt hơn, và tự do trong thiết kế để kỹ thuật hóa chức năng công việc nhằm tối ưu hóa đặc tính của thiết bị. Phân tích một chiều (1-D) được cung cấp để minh họa khái niệm kỹ thuật chức năng công việc, cả trong chế độ xuyên thấu trực tiếp và chế độ xuyên thấu F-N. Một quy trình hình thành tinh thể nano tự lắp ráp bằng cách tôi nhiệt nhanh của phim kim loại siêu mỏng được lắng đọng trên lớp oxit cách điện của cổng được phát triển và tích hợp với NMOSFET để chế tạo các thiết bị như vậy.
Từ khóa
#Conducting films #Vapor deposition #Work function #Rapid thermal annealing #Nanotechnology #Tunneling #Semiconductor memoriesTài liệu tham khảo
El-Kareh, 1997, The evolution of DRAM cell technology, Solid-State Technol., 40, 89
10.1109/16.535349
10.1109/16.915694
10.1109/55.778160
10.1109/55.877205
Liu, Nanocrystal memories with multibit-per-cell storage, J. Solid-State Circuits
10.1109/IEDM.1996.553147
10.1109/95.588573
10.1109/55.468277
10.1109/IEDM.1995.499252
10.1109/55.843161
10.1109/IEDM.2000.904411
10.1109/5.752518
10.1109/IEDM.2000.904319
10.1109/TED.2002.802618
10.1116/1.581889
10.1002/1521-4095(200108)13:16\\\≪1234::AID-ADMA1234\\\≫3.0.CO;2-R
10.1109/55.585357
10.1109/ICSICT.1998.786434
10.1109/DRC.2001.937905
10.1109/IEDM.1993.347408
10.1006/spmi.2000.0851
10.1006/spmi.2000.0939
Liu, 2001, Eluding metal contamination in CMOS front-end fabrication by nanocrystal formation process, MRS Fall Meeting Tech. Dig. Symp. A, A5.3.1
10.1103/PhysRevB.58.5116
10.1016/S1359-6454(97)00382-0