Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cơ Chế Gettering Nguyên Tố Chuyển Tiếp Trong Silic
Tóm tắt
Các tính chất độc đáo của các nguyên tố 3d chuyển tiếp trong silic được xem xét, điều này là cần thiết cho việc hiểu rõ các hiện tượng gettering. Kỹ thuật gettering nguyên tố chuyển tiếp được chia thành hai nhóm, tùy thuộc vào việc cơ chế gettering chiếm ưu thế hoạt động trong quá trình annealing hay là làm nguội các tấm silic. Các thí nghiệm xác định cơ chế gettering được trình bày cho việc gettering do kết tủa oxy (gettering nội tại) cũng như gettering do khuếch tán phốt pho. Kết luận đưa ra rằng chỉ có kỹ thuật sau hoạt động trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao.
Từ khóa
#3d nguyên tố chuyển tiếp #gettering #silic #xử lý nhiệt độ cao #kết tủa oxy #khuếch tán phốt phoTài liệu tham khảo
N. Tsuchiya, M. Tanaka, M. Kageyama, A. Kubota, and Y. Matsushita, Ext. Abstr. 22nd Conf.Solid State Devices and Materials, 1990, p.1131
E.R. Weber, Appl.Phys. A30, 1 (1983)
W. Schröter, M. Seibt, and D. Gilles, in Electronic structure and properties of semiconductors, vol. ed. W. Schröter (VCH, Weinheim, 1991) pp. 539–589
H. Feichtinger, in Electronic structure and properties of semiconductors, vol. ed. W. Schröter (VCH, Weinheim, 1991) pp. 143–195
T.Y. Tan, E.E. Gardner, W.K. Tice, Appl.Phys.Lett. 30, 175 (1977)
E.J. Mets, J.Electrochem.Soc. 112, 420 (1965)
R.L. Meek and T.E. Seidel, J.Phys.Chem.Solids 36, 731 (1975)
R.L. Meek, T.E. Seidel, and A.G. Cullis, J.Electrochem. Soc. 112, 786 (1975)
M.C. Chen and V.L. Silvestri, J.Electrochem.Soc. 129, 1294 (1982)
D. Mathiot and D. Barbier, in Defects in Silicon II, edited by W.M. Bullis, U. Gösele, and F. Shimura (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, USA) pp. 469–475
G. Zoth and W. Bergholz, J.Appl.Phys. 67, 6764 (1990)
R.N. Hall and H. Racette, J.Appl.Phys. 35, 379 (1964)
D. Gilles, W. Bergholz, and W. Schröter, Phys.Rev. B41, 5770 (1990)
W. Shockley and J.L. Moll, Phys.Rev. 119, 1480 (1960)
R. Keller, M. Deicher, W. Pfeiffer, H. Skudlik, D. Steiner, and Th. Wichert, Phys.Rev.Lett. 65, 2023 (1990)
P. Stallhofer, H. Huber, P. Blöchl, and H. Schwenk, in Semiconductor Silicon, edited by H.R. Huff, K.G. Barraclough, and Y.I. Chikawa (The Electrochemical Soc., Pennington, NJ, USA, 1990) pp. 1016–1028
M. Seibt, in Semiconductor Silicon 1990, edited by H.R. Huff, K.G. Barraclough, and Y.I. Chikawa (The Electrochemical Soc., Pennington, NJ, USA, 1990) p. 663
D. Pomerantz, J.Appl.Phys. 38, 5020 (1967)
H. Wong, N.W. Cheung, and P.K. Chu, Appl.Phys.Lett. 46, 419 (1988)
D.M. Lee, J.B. Posthill, F. Shimura, and G.A. Rozgonyi, Appl.Phys.Lett. 53, 370 (1988)
W. Schröter and R. Kühnapfel, Appl.Phys.Lett. 56, 2207 (1989)
D. Lescronier, J. Paugam, G. Pelous, F. Richou, M. Salvi, J.Appl.Phys. 52, 5090 (1981)
J.W. Corbett, P. Deak, J.L. Lindström, L.M. Roth, and L.C. Snyder, Mater. Sci. Forum 38-41, 579 (1989)
K. Graff, H. Hefner, and W. Hennerici, J.Electrochem.Soc. 135, 952 (1988)
D. Gilles, E.R. Weber, and S. Hahn, Phys.Rev.Lett. 64, 196
R. Falster, Z. Laczik, G.R. Brooker, and P. Török, in Proc. of the 4th Intern. Autumn Meeting on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, edited by M. Kittler (Sci.Tech.Publ.Vaduz, Liechtenstein, 1991) pp. 33–38
H. Ewe, to be published
W. Bergholz, in Defects in Semiconductors 1982, Physica 1166B, 312 (1983)
S. Hahn, M. Arst, K.N. Rist, S. Shatas, H.J. Stein, Z.U. Rek, and W.A. Tiller, J.Appl.Phys. 64, 849 (1988)
S.M. Hu, J.Appl.Phys. 70, R53 (1991)
K. Ryoo, R. Drosd, W. Wood, J.AppI.Phys. 63, 4440 (1988)
A. Bourret and W. Schröter, Ultramicroscopy 14, 97 (1984)
R. Kühnapfel, W. Schröter, and D. Gilles, in Materials Science Forum, vol.10–12, edited by H.J. von Bardeleben (Trans Tech Publ., Aedermanndorf, Switzerland, 1986)p. 151