Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đo lường nồng độ điện tử 2D trong cấu trúc transistor giả hình InGaAs/GaAs được dop δ bằng quang phát quang
Tóm tắt
Nồng độ của các điện tử 2D n
s
được đo bằng các cấu trúc PHEMT dop biến thiên với sự hỗ trợ của hai phương pháp quang phát quang (PL) sử dụng độ rộng bán kính của dải 1e-1hh và chênh lệch năng lượng E
F-E
1e
trong các phổ PL thực nghiệm. Tính khả thi của các phương pháp được phân tích và một phương pháp để xác định năng lượng E
F từ sự phụ thuộc của nhiệt độ đối với tỉ lệ cường độ của các dải 2e-1hh và 1e-1hh được đề xuất. Kết quả cho thấy nồng độ n
s
có sự phù hợp tốt với các kết quả đo hiệu ứng Hall ở nồng độ tương đối thấp (n
s
≤ 2.5 × 1012) khi không có sự dẫn điện song song dọc theo lớp δ. Ở mức độ dop mạnh hơn, các phương pháp PL cho ra nồng độ n
s
chính xác hơn.
Từ khóa
#điện tử 2D #cấu trúc transistor giả hình #quang phát quang #nồng độ điện tử #hiệu ứng HallTài liệu tham khảo
C. Gaquiere, J. Grunenputt, D. Jamdon, et al., IEEE Electron Device Lett. 26, 533 (2005).
D. Y. Lin, M. C. Wu, H. J. Lin, and J. S. Wu, Physica E 40, 1757 (2008).
J. M. Gilperez, J. L. Sanchez-Rojas, E. Munoz, et al., J. Appl. Phys. 76, 5931 (1994).
S. K. Brierley, A. Torabi, and P. S. Lyman, J. Appl. Phys. 85, 914 (1999).
Steven K. Brierley, J. Appl. Phys. 74, 2760 (1993).
G. L. Zhou, W. Liu, and M. E. Lin, J. Cryst. Growth 227–228, 218 (2001).
H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, et al., Appl. Phys. Lett. 59, 2739 (1991).
A. Dodabalapur, V. P. Kesan, D. R. Hinson, et al., Appl. Phys. Lett. 54, 1675 (1989).
S. Adachi, J. Appl. Phys. 53, 8775 (1982).
A. S. Ignatév, M. V. Karachevtseva, V. G. Mokerov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (S.-Peterburg) 28(1), 125 (1994).
G. B. Galiev, I. S. Vasilévski, E. A. Klimov, V. G. Mokerov, and A. A. Cherechukin, Semiconductors 40, 1445 (2006).
I. S. Vasilévski, G. B. Galiev, E. A. Klimov, V. G. Mokerov, S. S. Shirokov, R. M. Imamov, and I. A. Subbotin, Semicond. 42, 1084 (2008).