Điều chỉnh tương tác trao đổi từ trong các màng SmCo có độ ổn định nhiệt cao thông qua việc kiểm soát biến đổi pha

Applied Physics A Solids and Surfaces - Tập 106 - Trang 125-129 - 2011
Chun Feng1, Ning Li1, Shuai Li1, Qianming Huo1, Minghua Li1, Qian Zhan1, Baohe H. Li2, Jinhua Yin3, Yong Jiang1, Guanghua Yu1
1Department of Materials Physics and Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, People’s Republic of China
2Department of Physics, School of Sciences, Beijing Technology and Business University, Beijing, People’s Republic of China
3Department of Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing, People’s Republic of China

Tóm tắt

Độ ổn định nhiệt cao và khả năng điều chỉnh tương tác trao đổi từ (MEI) trong các vật liệu SmCo đã trở thành vấn đề quan trọng trong ứng dụng cho các phương tiện ghi từ và nam châm vĩnh cửu nano composite. Chúng tôi đã chế tạo các màng SmCo với độ ổn định nhiệt cao và MEI có thể điều chỉnh bằng cách kiểm soát quá trình biến đổi pha thông qua việc tăng cường nồng độ Sm (20,5–37,7 at.%) và điều chỉnh quy trình tôi luyện. Các nghiên cứu về vi cấu trúc cho thấy các pha SmCo5 đảm bảo rằng màng có độ ổn định nhiệt cao. Hơn nữa, chúng tôi đã điều chỉnh MEI trong màng với các hạt SmCo2 không từ hóa được lắng đọng gần các hạt SmCo5. Những kết quả này cung cấp một cách tiếp cận mới để điều chỉnh MEI trong các vật liệu SmCo trong khi duy trì độ ổn định nhiệt cao.

Từ khóa

#SmCo #tương tác trao đổi từ #ổn định nhiệt #biến đổi pha #vật liệu từ tính

Tài liệu tham khảo

P. Saravanan, A.N. Sharma, V. Chandrasekaran, J. Magn. Magn. Mater. 321, 3138 (2009)

C.B. Rong, H.W. Zhang, R.J. Chen, B.G. Shen, S.L. He, J. Appl. Phys. 100, 123913 (2006)

M. Seifert, V. Neu, L. Schultz, Appl. Phys. Lett. 94, 022501 (2009)

A. Signh, V. Neu, R. Tamm, K. Rao, S. Fähler, W. Skrotzki, L. Schultz, B. Holzapfel, J. Appl. Phys. 99, 08E917 (2006)

Y.Z. Liu, Y.Q. Wu, M.J. Kramer, Y. Choi, J.S. Jiang, Z.L. Wang, J.P. Liu, Appl. Phys. Lett. 93, 192502 (2008)

Y. Hou, Z. Xu, S. Peng, C. Rong, J.P. Liu, S. Sun, Adv. Mater. 19, 3349 (2007)

E.E. Fullerton, J.S. Jiang, M. Grimsditch, C.H. Sowers, S.D. Bader, Phys. Rev. B 58, 12193 (1998)

R. Andreescu, M.J. O’Shea, J. Appl. Phys. 97, 10F302 (2005)

A. Singh, V. Neu, S. Fähler, K. Nenkov, L. Schultz, B. Holzapfel, Phys. Rev. B 77, 104443 (2008)

J. Zhang, Y.K. Takahashi, R. Gopalan, K. Hono, Appl. Phys. Lett. 86, 122509 (2005)

A.A. Kündig, R. Gopalan, T. Ohkubo, K. Hono, Scr. Mater. 54, 2047 (2006)

M. Yue, J.X. Zhang, D.T. Zhang, L.J. Pan, X.B. Liu, Z. Altounian, Appl. Phys. Lett. 90, 242506 (2007)

S. Kardelky, A. Gebert, O. Gutfleisch, V. Hoffmann, L. Schultz, J. Magn. Magn. Mater. 290, 1226 (2005)

M. Forker, S. Müller, P. de la Presa, Phys. Rev. B 68, 014409 (2003)

M.F. de Campos, F.J.G. Landgraf, N.H. Saito, S.A. Romero, A.C. Neiva, F.P. Missell, E.D. Morais, S. Gama, E.V. Obrucheva, B.V. Jalnin, J. Appl. Phys. 84, 368 (1998)

T. Schrefl, H. Forster, R. Dittrich, D. Suess, W. Scholz, J. Fidler, J. Appl. Phys. 93, 6489 (2003)

T. Stefan, H. Jürgen, J. Magn. Magn. Mater. 154, 254 (1996)

M. Doerner, X.P. Bian, M. Madison, K. Tang, Q.Z. Peng, A. Polcyn, T. Arnoldussen, M.F. Toney, M. Mirzamaani, K. Takano, E. Fullerton, D. Margulies, M. Schabes, K. Rubin, M. Pinarbasi, S. Yuan, M. Parker, D. Weller, IEEE Trans. Magn. 37, 1052 (2001)

Thông tin
Thông tin xuất bản

Applied Physics A Solids and Surfaces

Tập 106

125-129

Thông tin tác giả