MOS capacitance measurements for high-leakage thin dielectrics

IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 46 Số 7 - Trang 1500-1501 - 1999
Kevin Yang1, Chenming Hu1
1Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

koukab, 1997, an improved high-frequency <formula><tex>$c{-}v$</tex></formula> method for interface state analysis on mis structures, Solid-State Electron, 41, 634, 10.1016/S0038-1101(96)00112-8

10.1109/16.214740

10.1049/el:19860310

semiconductor industry assoc, 1997, The National Technology Roadmap For Semiconductors Technology Needs

10.1109/16.275227

10.1109/55.568766

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Transactions on Electron Devices

Tập 46 Số 7

1500-1501

Thông tin tác giả