Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phương Pháp Tổng Hợp Nhiệt Độ Thấp và Tính Chất Điện Chất của Màng Mỏng Ôxít Zirconat Titan Tinh Khiết với Kỹ Thuật Hạt Nano Gieo Hạt
Tóm tắt
Phương pháp tổng hợp nhiệt độ thấp, kết hợp giữa việc lắng đọng dung dịch hóa học và kỹ thuật gieo hạt nano, đã được áp dụng để chế tạo các màng mỏng ôxít zirconi titan (PZT). Các hạt nano tinh thể của ôxít titan bari strontium (BST) được chuẩn bị bằng phản ứng thủy phân của các alkoxit phức tạp. Các dung dịch tiền chất PZT chứa hạt BST đã được phủ lên các bề mặt Pt/Ti/SiO2/Si để có độ dày màng từ 500 − 800 nm với nồng độ hạt từ 0–25.1 mol%, và được tôi ở nhiều nhiệt độ khác nhau. Việc gieo hạt BST đã ngăn chặn sự hình thành các pha pyrochlore, xuất hiện ở nhiệt độ trên 400 °C trong các màng PZT không có gieo hạt, đồng thời tinh thể hóa PZT thành cấu trúc perovskite ở 420 °C, thấp hơn hơn 100 °C so với nhiệt độ tinh thể hóa của các màng PZT không gieo hạt. Các phép đo tính chất điện môi ở tần số 1 kHz cho thấy các màng PZT gieo hạt BST với nồng độ 25.1 mol% và được tôi ở 450 °C có hằng số điện môi cao tới 300 với hệ số suy giảm 0.05. Mật độ dòng rò của màng mỏng này dưới 1×10-6 A/cm2 tại điện trường áp dụng từ 0 đến 64 kV/cm.
Từ khóa
#PZT #BST #màng mỏng #tính chất điện môi #gieo hạt nano #tổng hợp nhiệt độ thấpTài liệu tham khảo
A. Wu, I. M. M. Salvado, P. M. Vilarinho and J. L. Baptista, J. Eur. Ceram. Soc. 17, 1443 (1997).
A. Wu, P. M. Valarinho, I. M. M. Salvado and J. L. Baptista, Mater. Res. Bull. 33, 59 (1998).
T. Tanase, A. Nishikata, Y. Iizuka, Y. Kobayashi, M. Konno and T. Miwa, J. Ceram. Soc. Jpn. 110, 911 (2002).
H. Lund, J. Am. Chem. Soc. 74, 3188 (1931).
Powder Diffraction File, International Center for Diffraction Data, Swarthmore, PA, 1989, Card No. 39–1395.
Y. L. Tu, S. J. Milne, J. Mater. Sci. 30, 2507 (1995).
B. A. Tuttle, T. J. Headley, B. C. Bunker, R. W. Schwartz, T. J. Zender, C. L. Hernandez, D. C. Goodnow, R. J. Tissot, J. Michael, A. H. Carim, J. Matr. Res. 7, [7] 1876 (1992).
C. H. Lin, W. D. Hsu, I. N. Lin, Appl. Surf. Sci. 142, 418 (1999).