Tóm tắt
Tóm tắtCác nghiên cứu đã báo cáo rằng sự khuếch tán của các nguyên tử dopant thay thế trong silicon xảy ra trong quá trình hình thành các silicide của kim loại chuyển tiếp ở nhiệt độ dưới 300°C. Bằng cách quan sát sự tăng cường khuếch tán của các lớp dấu hiệu chôn chìm từ các lớp silicon dopant Sb, Ga, Ge và B, chúng tôi cung cấp bằng chứng thực nghiệm vững chắc rằng sự tăng cường khuếch tán do sự hình thành Pd2Si ở nhiệt độ thấp là do sự tạo ra các khuyết tật điểm bởi các phản ứng silicide. Sự tăng cường khuếch tán được quan sát ở nhiệt độ thấp tới 200°C. Chúng tôi đã tìm thấy kết quả bất ngờ rằng sự khuếch tán là không đối xứng: sự khuếch tán xảy ra ưu tiên về phía bề mặt silicide.
