Sự chèn lithium trong các lớp mỏng silicon vô định hình

Russian Journal of Electrochemistry - Tập 42 - Trang 363-369 - 2006
T. L. Kulova1, A. M. Skundin1, Yu. V. Pleskov1, E. I. Terukov2, O. I. Kon’kov2
1Frumkin Institute of Electrochemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
2Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Tóm tắt

Nghiên cứu quá trình chèn lithium điện hóa trong các lớp mỏng silicon vô định hình hydro hóa (a-Si:H), được lắng đọng ở nhiệt độ 100 và 250°C trên các bề mặt thép không gỉ. Kết quả cho thấy dung lượng xả của các lớp mỏng có độ dày giống nhau được sản xuất ở nhiệt độ 250°C lớn hơn so với các lớp được sản xuất ở 100°C. Sự phụ thuộc của dung lượng xả của các lớp mỏng được sản xuất ở 250°C vào độ dày của chúng được xem xét. Qua đó, đã xác định rằng tăng độ dày của lớp mỏng dẫn đến gia tốc sự giảm dung lượng xả trong suốt quá trình chu kỳ. Tại mật độ dòng điện 0.175 mA cm−2, dung lượng xả của các lớp mỏng 0.25 và 1.35 μm tương ứng gần bằng 2 Ah g−1 trong chu kỳ thứ ba, trong khi ở chu kỳ thứ trăm, nó giảm xuống còn 1.10 và 0.37 Ah g−1, tương ứng. Hệ số khuếch tán của lithium trong các lớp mỏng này bằng khoảng 10-13 cm2s−1.

Từ khóa

#chèn lithium #lớp mỏng #silicon vô định hình #dung lượng xả #hệ số khuếch tán

Tài liệu tham khảo

Lithium Batteries: Science and Technology, Nazri, G.-A. and Pistoia, G., Eds., Boston: Kluwer Academic, 2004. Jung Hunjoon, Park Min, Yoon Yeo-Geon, Kim Gi-Bum, and Joo Seung-Ki, J. Power Sources, 2003, vol. 115, p. 346. Shigeki, O., Junji, S., Kyoichi, S., and Tsutomu, T., J. Power Sources, 2004, vol. 136, p. 303. Lee Ki-Lyoung, Jung Ju-Young, Lee Seung-Won, Moon Hee-Soo, and Park Jong-Wan, J. Power Sources, 2004, vol. 129, p. 270. Lee Ki-Lyoung, Jung Ju-Young, Lee Seung-Won, Moon Hee-Soo, and Park Jong-Wan, J. Power Sources, 2004, vol. 130, p. 241. Shigeki, O., Junji, S., Kyoichi, S., and Tsutomu, T., J. Power Sources, 2003, vol. 119–121, p. 591. Tsutomu, T., Shigeki, O., Makiko, U., Junji, S., and Kyoichi, S., J. Power Sources, 2004, vol. 129, p. 96. Kon’kov, O.I., Terukov, E.I., and Trapeznikova, I.N., Fiz. Tekhn. Poluprovod., 1996, vol. 30, p. 2183. Zhang Xiang-Wu, Patil Prashanth, K., Wang Chunsheng, Appleby A.J., Little, F.E., and Cocke, D., J. Power Sources, 2004, vol. 125, p. 206. Bourderau, S., Brousse, T., and Schleich, D.M., J. Power Sources, 1999, vol. 81–82, p. 233. Yu Ping, Popov, B.N., Ritter, J.A., and White, R.E., J. Electrochem. Soc., 1999, vol. 146, p. 8.