Lateral charge transport in the nitride layer of the NROM non-volatile memory device

Microelectronic Engineering - Tập 72 - Trang 426-433 - 2004
Assaf Shappir1, Yosi Shacham-Diamand1, Eli Lusky2, Ilan Bloom2, Boaz Eitan2
1Department of Physical Electronics, Research Institute for Nano-Science and Nano-Technology, Tel Aviv University, Ramat Aviv 69978, Israel
2Saifun Semiconductors Ltd., 45 Hamelacha St., Ind. Zone South, P.O. Box 8385, Netanya, Israel

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Microelectronic Engineering

Tập 72

426-433

Thông tin tác giả