Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc điểm phát quang phụ thuộc vào công suất laser và nhiệt độ của giếng lượng tử GaInNAs/GaAs đã được xử lý nhiệt
Tóm tắt
Đặc tính phát quang (PL) của giếng lượng tử (QW) GaInNAs đã được xử lý nhiệt với nhiệt độ và cường độ kích thích laser khác nhau được đo để hiểu rõ hơn về các tính chất PL ở nhiệt độ thấp của giếng lượng tử GaInNAs 6 nm đã được xử lý nhiệt. Các phép đo cho thấy hiệu ứng định vị vẫn tồn tại trong QW ngay cả sau khi xử lý nhiệt. Hiệu ứng này được đặc trưng bởi một năng lượng kích hoạt là 11 meV dưới trạng thái el, mà được thu được từ việc phù hợp đường cong cường độ PL tích hợp theo nhiệt độ với mô hình năng lượng kích hoạt đơn (SAE). Trung tâm này được đề xuất là liên quan đến trung tâm định vị chính dưới trạng thái el, có thể do sự biến đổi thành phần N hoặc In xảy ra ngay cả sau khi xử lý nhiệt.
Từ khóa
#phát quang #giếng lượng tử #GaInNAs #năng lượng kích hoạt #xử lý nhiệtTài liệu tham khảo
M. C Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and K. Uomi. IEEE Photonics Technology Letters, 10 188 (1998).
T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, W. K. Loke, W. J. Fan. J. Vac. Sci. Technol., 20 (3) 964 (2002).
Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, R. H. Wu. Appl. Phys. Lett., 77 (2) 214 (2000).
T. Kitatani, M. Kondow, T. Tanaka. J. Crystal Growth, 227–228 521 (2001).
R. A. Mair, J. Y. Lim, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, S. R. Kurtz. Appl. Phys. Lett. 76 (2) (2000) 188.
X. D. Luo, Z. Y. Xu, W. K. Ge, Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin. Appl. Phys. Lett., 79 (7) 958 (2001).