Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chế Tạo Silicon Trên Chất Chóp Điện Dẫn Bằng Laser
Tóm tắt
Sự phát triển của các tinh thể silicon có thể dùng cho thiết bị trên các bề mặt cách điện sẽ có tác động cách mạng đến ngành điện tử vi mô, và do đó đây là mục tiêu của những nỗ lực mạnh mẽ. Bài báo này xem xét sự tiến bộ gần đây trong việc ứng dụng tia laser và tia điện tử cùng ánh sáng không đồng bộ nhằm mục đích này. Ở mọi trường hợp, năng lượng bức xạ được sử dụng để làm tan chảy một vật liệu tiền chất, từ đó các lớp có thể sử dụng cho thiết bị được hình thành trong quá trình đông đặc lại. Các kỹ thuật bao gồm sự phát triển có hạt giống và không có hạt giống, bao phủ một phần và hoàn toàn lớp lỏng, và dao động của bề mặt rắn-lỏng. Những cân nhắc về độ ổn định của vùng lỏng, kiểm soát gradient nhiệt độ, và độ ổn định hình thái giao diện là trung tâm của mỗi kỹ thuật. Tiến bộ trong lĩnh vực này đã diễn ra nhanh chóng và một số kỹ thuật đã được chứng minh thành công.
Từ khóa
#silicon #chất chóp điện dẫn #tia laser #bức xạ #kỹ thuật chế tạo #điện tử vi môTài liệu tham khảo
Laser and Electron Beam Processing of Materials editors: C. W. White, and P. S. Peercy (Academic Press, New York 1980).
Laser and Electron Beam-Solid Interactions and Materials Processing: M. R. S. Symposia Proceedings, Vol. 1 editors, J. F. Gibbons, L. D. Hess, and T. W. Sigmon (North-Holland, New York 1981).
A. Gat, L. Gerzberg, J. F. Gibbons, T. J. Magee, J. Peng, and J. D. Hong, Appl. Phys. Lett. 33, 8 (1978).
T. I. Kamins, K. F. Lee, and J. F. Gibbons, IEEE Elect. Dev. Lett. EDL-1, 5 (1980).
K. F. Lee, J. F. Gibbons, K. C. Saraswat and T. I. Kamins, Applied Physics Letters 35, 173 (1979).
Grain Boundaries in Semiconductors, M.R.S. Symposia Proceedings Series, Editors: G. E. Pike, C. H. Seager, and H. J. Leamy (North-Holland, New York 1980).
H. W. Lam, these proceedings.
K. E. Bean and W. R. Runyan, J. Electrochem. Soc. 124, 5C (1977).
D. K. Biegelsen, N. M. Johnson, D. J. Bartelink and M. D. Moyer in L. D. Hess, and T. W. Sigmon (North-Holland, New York 1981) ref. 2, pp. 487–494.
R. A. Lemons, M. A. Bosch, A. H. Dayem, J. K. Grogan, and P. M. Mankiewich, Appl. Phys. Lett., in press.
J. Maserjian, Solid State Elect. 6, 477 (1963).
G. K. Celler, H. J. Leamy and L. E. Trimble, J. Elect. Mater, to appear.
An excellent demonstration of this effect is given by K. A. Jackson and C. E. Miller, J. Cryst. Growth, 42, 364 (1977).
T. R. Anthony and H. E. Cline, J. Appl. Phys. 48, 3888 (1977).
J. T. Schott, Electrochem. Soc. Extended Abstracts, 80–2, 1081 (1980).
G. K. Celler, H. J. Leamy, L. E. Trimble and T. T. Sheng, Appl. Phys. Lett. 39, 425 (1981).
G. H. Gilmer and H. J. Leamy: in ref. 1, pp. 227–233.
H. J. Leamy, W. L. Brown, G. K. Celler, G. Foti, G. H. Gilmer, and J. C. C. Fan: in L. D. Hess, and T. W. Sigmon (North-Holland, New York 1981) ref. 2, pp. 89–96.
G. Auvert, D. Bensahel, A. Perio, V. T. Nguyen and G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett. 39, 724 (1981).
G. Auvert et al these proceedings.
J. F. Gibbons has reviewed Stanford work in L. D. Hess, and T. W. Sigmon (North-Holland, New York 1981) ref. 2, pp. 449–462.
K. K. Ng, G. K. Celler, E. I. Povilonis, R. C. Frye, H. J. Leamy, and S. M. Sze, IEEE Elect. Device Lett. EDL-2, 316 (1981).
H. J. Leamy, R. C. Frye, K. K. Ng, G. K. Celler, E. I. Povilonis, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett., in press.
N. M. Johnson, D. K. Biegelsen and M. D. Moyer, Appl. Phys. Lett. 38, 900 (1981).
R. C. Frye and K. K. Ng, in C. H. Seager, and H. J. Leamy (North-Holland, New York 1980) ref. 6.
R. M. Fastow, H. J. Leamy, G. K. Celler, Y. H. Wong and C. J. Doherty: in L. D. Hess, and T. W. Sigmon (North-Holland, New York 1981) ref. 2. pp. 495–502.
T. I. Kamins and P. A. Pianetta, IEEE Elect. Dev. Lett. EDL-1, 214 (1980).
M. W. Geis, D. A. Antoniadis, D. J. Silversmith, R. W. Mountain, and H. I. Smith, J. Vac. Sci. Technol. 18, 229 (1981).
E. W. Maby, M. W. Geis, Y. L. LeCoz, D. J. Silversmith, R. W. Mountain and D. A. Antoniadis, IEEE Elect. Dev. Lett. EDL-2, 24 (1981).
J. F. Gibbons, K. F. Lee, T. J. Magee, J. Peng and R. Ormond, Appl. Phys. Lett. 34, 831 (1979).
M. W. Geis, D. C. Flanders and H. I. Smith, Appl. Phys. Lett. 35, 71 (1979).
T. J. Magee, L. J. Palkuti, R. Ormond, C. Leung and S. Graham, Appl. Phys. Lett. 38, 248 (1981).
M. Tamura, H. Tamura, and T. Tokuyama, Japan J. Appl. Phys. 19, L23 (1980).
T. I. Kamins, T. R. Cass, C. J. Dell’Oca, K. F. Lee, R. F. W. Pease and J. F. Gibbons, J. Electrochem. Soc. 128, 1151 (1981).
H. W. Lam, R. F. Pinizzotto and A. F. Tasch, Jr., J. Electrochem. Soc. 128, 1981 (1981).
L. E. Trimble, G. K. Celler, K. K. Ng, H. Baumgart and H. J. Leamy, these proceedings.
T. F. Kuech and J. O. McCaldin, Appl. Phys. Lett. 37, 44 (1980).
H. W. Lam, A. F. Tasch, Jr. and T. C. Holloway, IEEE Elect. Dev. Lett. EDL-1, 206 (1981).
T. I. Kamins and P. A. Pianetta, IEEE Elect. Dev. Lett. EDL-1, 214 (1980).
J. F. Gibbons and K. F. Lee, IEEE Elect. Dev. Lett. EDL-1, 117 (1980).
H. Baumgart, H. J. Leamy, K. K. Ng, and C. J. Doherty, unpublished research.
J. C. C. Fan, M. W. Geis and B.-Y. Tsaur, Appl. Phys. Lett. 38, 365 (1981).
B.-Y. Tsaur, J. C. C. Fan, M. W. Geis, D. J. Silversmith, and R. W. Mountain, Appl. Phys. Lett. 39, 562 (1981).
M. W. Geis, H. I. Smith, B.-Y. Tsaur, J. C. C. Fan, E. W. Maby and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett, in press.
H. J. Leamy, R. A. Lemons, R. C. Farrow, H. Baumgart, J. Cheng and C. C. Chang, unpublished research.
See e.g., D. T. J. Hurle in Crystal Growth: an Introduction, P. Hartman, ed. (North Holland, New York 1973) pp. 210–247.