Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Động học và hiệu ứng tăng trưởng cạnh của các lớp GaAs được phát triển trong hệ Ga-As-Bi
Tóm tắt
Nghiên cứu về động học tăng trưởng của các lớp epitaxy GaAs thu được từ các dung dịch Ga-As và Ga-As-Bi được so sánh trong công trình này. Chúng tôi đã áp dụng phương pháp làm mát cân bằng trong hệ thống epitaxy pha lỏng (LPE) cổ điển với việc sử dụng thuyền kiểu trượt. Các nghiên cứu được thực hiện đối với các dung dịch Ga-As-Bi chứa từ 0 đến 95% trọng lượng Bi và cũng cho các dung dịch Ga-As với cùng các tham số công nghệ của quá trình tăng trưởng để so sánh. Kết quả cho thấy trong phạm vi nồng độ bismuth ứng dụng trong các hợp kim, tốc độ tăng trưởng GaAs cao hơn từ 0.5 đến 3 lần so với các dung dịch Ga-As cổ điển. Ngoài ra, sự hiện diện của bismuth trong các dung dịch đã loại bỏ hiện tượng tăng trưởng thành cạnh không mong muốn của GaAs ở các cạnh lớp và giảm đáng kể số lượng đường meniscus trên bề mặt lớp được lắng đọng.
Từ khóa
#GaAs #epitaxy #Ga-As-Bi #tốc độ tăng trưởng #bismuth #lớp lắng đọngTài liệu tham khảo
N. B. Ganina, W. B. Ufimcev andW. I. Fistul,Pisma ZFT 8 (1982) 620.
Yu. E. Maroncuk, T. A. Polanskaya andN. A. Jakuseva,Izv. Akad. SSSR, Neorg. mater. 20 (1984) 13.
S. B. Evgenev andN. B. Ganina,ibid. 20 (1984) 561.
M. Hansen andK. Anderko, in “Struktury Dvoynych Splavov” (Metallurgizdat, Moscow, 1962) p. 173.
R. K. Willardson andW. P. Allred, in Proceedings of 1st International Symposium on gallium arsenide, Reading University (1966) p. 35.
L. R. Dawson,Prog. Solid State Chem. 7 (1972) 117.
M. C. Casey Jr andM. B. Panish, in “Heterostructure Lasers”, Part 2 (Academic Press, New York, 1978).
I. Crossley andM. B. Small,J. Cryst. Growth 19 (1973) 160.
M. G. Astels, M. Hill andV. W. Steward,ibid. 62 (1983) 61.
Tablicy Fiziceskich Vielicyn (Atomizdat, Moscow, 1976) p. 250.
CRC Handbook of Chemistry and Physics, 65th Edn (1984) p. F-22.
K. Palc, T. Nishinaga andT. Nakamura,Jpn J. Appl. Phys. 18 (1979) 1699.
T. Mikawa, O. Wada andM. Taleanaski,ibid. 11 (1972) 1756.