Tạo ra các khuyết tật paramagnetic do đồng vị trong quá trình biến dạng dẻo của các tinh thể 29Si

Pleiades Publishing Ltd - Tập 57 - Trang 100-105 - 2015
O. V. Koplak1,2, A. I. Dmitriev1,3, R. B. Morgunov1,3
1Institute of Problems of Chemical Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia
2Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine
3Sholokhov Moscow State University for the Humanities, Moscow, Russia

Tóm tắt

Đã phát hiện rằng số lượng các cụm paramagnetic được hình thành trong quá trình biến dạng dẻo của các tinh thể silicon tăng lên ở các tinh thể giàu đồng vị 29Si. Đã chỉ ra rằng có sự tương tác spin-spin phản từ với năng lượng khoảng 30–50 K trong các cụm khuyết tật paramagnetic do biến dạng gây ra. Ảnh hưởng của tương tác hyperfine đối với các phản ứng phụ thuộc spin của silicon với oxy hoặc thay đổi trong các hằng số đàn hồi và giãn nở mạng tinh thể có thể gây ra sự hình thành các khuyết tật do biến dạng trong các tinh thể giàu 29Si.

Từ khóa

#khuyết tật paramagnetic #biến dạng dẻo #tinh thể silicon #đồng vị 29Si #tương tác spin-spin #tương tác hyperfine

Tài liệu tham khảo

N. T. Bagraev, A. I. Gusarov, and V. A. Mashkov, Sov. Phys. JETP 65(3), 548 (1987). A. Goltzené, Rev. Phys. Appl. 22, 469 (1987). V. A. Grazhulis and Yu. A. Osip’yan, Sov. Phys. JETP 33, 623 (1971). M. Brohl, C. Kisielowski-Kemmerich, and H. Alexander, Appl. Phys. Lett. 50, 1733 (1987). E. R. Weber and H. Alexander, J. Phys., Colloq. 44, C4–319 (1983). U. Schmidt, E. Weber, H. Alexander, and W. Sander, Solid State Commun. 14, 735 (1974). O. V. Koplak, A. I. Dmitriev, T. Kakeshita, and R. B. Morgunov, J. Appl. Phys. 110, 044905–1-8 (2011). O. V. Koplak, R. B. Morgunov, and A. L. Buchachenko, JETP Lett. 96(2), 102 (2013). O. Koplak, R. Morgunov, and A. Buchachenko, Chem. Phys. Lett. 560, 29 (2013). O. V. Koplak, A. I. Dmitriev, S. G. Vasil’ev, E. A. Shteinman, and R. B. Morgunov, J. Exp. Theor. Phys. 118(4), 621 (2014). M. V. Badylevich, Yu. L. Iunin., V. V. Kveder, V. I. Orlov, and Yu. A. Osipyan, Solid State Phenom. 95–96, 433 (2004). I. Yonenaga and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 101, 053528 (2007). I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi, and Y. Ohno, Physica B (Amsterdam) 401, 148 (2007). I. Yonenaga and K. Takahashi, J. Phys.: Conf. Ser. 51, 407 (2006). R. A. Red’ko, J. Appl. Phys. 112, 073513 (2012). A. I. Dmitriev, A. A. Skvortsov, O. V. Koplak, R. B. Morgunov, and I. I. Proskuryakov, Phys. Solid State 53(8), 1547 (2011). K. M. Itoh, J. Kato, M. Uemura, A. K. Kaliteevskii, O.N. Godison, G. G. Devyatych, A. D. Bulaniv, A. V. Gusev, I. D. Kovalev, P. G. Sennikov, H. J. Pohl, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, J. Appl. Phys. 42, 6248 (2003).