Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cấu trúc nano kim loại/chất bán dẫn ferromagnetic dựa trên silicide sắt
Tóm tắt
Các phim epitaxy đơn tinh thể ferromagnetic Fe3Si và phim polycrystalline Fe5Si3 được chế tạo trên nền Si bằng phương pháp epitaxy tia phân tử với việc kiểm soát in situ về cấu trúc, tính chất quang học và từ tính. Kết quả của các phép đo cấu trúc, từ tính và quang học được thảo luận. Dữ liệu thực nghiệm được so sánh với kết quả của các phép tính vi mô về cấu trúc phân cực spin, độ thẩm thấu và quang phổ dẫn quang.
Từ khóa
#ferromagnetic; silicide sắt; phim epitaxy; nền Si; tính chất quang học; tính chất từ tínhTài liệu tham khảo
H. Y. Hung, S. Y. Huang, P. Chang, W. C. Lin, Y. C. Liu, S. F. Lee, M. Hong, and J. Kwo, J. Cryst. Growth. 323, 372 (2011).
T. Yoshitake, D. Nakagauchi, T. Ogawa, M. Itakura, N. Kuwano, Y. Tomokiyo, T. Kajiwara, and K. Nagayama, Appl. Phys. Lett. 86, 262505 (2005).
Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, Y. Kishi, K. Ueda, K. Sawano, T. Sadoh, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 94, 182105 (2009).
Y. Fujita, S. Yamada, Y. Ando, K. Sawano, H. Itoh, M. Miyao, and K. Hamaya, J. Appl. Phys. 113, 013916 (2013).
Y. Maeda, T. Ikeda, T. Ichikawa, T. Nakajima, B. Matsukura, T. Sadoh, and M. Miyao, Phys. Procedia 11, 200 (2011).
I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, B. A. Belyaev, S. M. Zharkov, M. S. Molokeev, I. A. Tarasov, and S. G. Ovchinnikov, JETP Lett. 99 (9), 527 (2014).
A. Post, C. Knight, and E. Kisi, J. Appl. Phys. 114, 033915 (2013).
K. S. K. Varadwaj, K. Seo, J. In, P. Mohanty, J. Park, and B. Kim, J. Am. Chem. Soc. 129, 8594 (2007).
H. von Kanel, R. Stalder, H. Sirringhaus, N. Onda, and J. Henz, Appl. Surf. Sci. 53, 196 (1991).
H. von Kanel, K. A. Mader, E. Muller, N. Onda, and H. Sirringhaus, Phys. Rev. B: Condens. Matter 45, 13807 (1992).
E. V. Chubunova, I. D. Khabelashvili, Y. Y. Lebedinskii, V. N. Nevolin, and A. Zenkevich, Thin Solid Films 247, 39 (1994).
G. J. Strijkers, J. T. Kohlhepp, H. J. M. Swagten, and W. J. M. de Jonge, Phys. Rev. B: Condens. Matter 60, 9583 (1999).
M. V. Gomoyunova, D. E. Malygin, I. I. Pronin, A. S. Voronchikhin, D. V. Vyalikh, and S. L. Molodtsov, Surf. Sci. 601, 5069 (2007).
H. F. Hsu, H. Y. Wu, Y. T. Huang, and T. H. Chen, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 08JB09 (2009).
M. Fanciulli, G. Weyer, H. von Kanel, and N. Onda, Phys. Scr., T 54, 16 (1994).
S. Yamada, M. Miyao, and K. Hamaya, in Proceedings of 7th International Silicon–Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM 2014), Singapore, June 2–4, 2014, p. 55.
Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano, Ed. by D. M. Rowe (CRC Press, Boca Raton, Florida, 2006).
S. A. Lyashchenko, Z. I. Popov, S. N. Varnakov, E. A. Popov, M. S. Molokeev, I. A. YAkovlev, A. A. Kuzubov, and S. G. Ovchinnikov, J. Exp. Tech. Phys. 120 (5), 886 (2015).
F. K. Urban III, D. Barton, and T. Tiwald, Thin Solid Films 518, 1411 (2009).
I. Sandalov, N. Zamkova, V. Zhandun, I. Tarasov, S. Varnakov, I. Yakovlev, L. Solovyov, and S. Ovchinnikov, Phys. Rev. B: Condens. Matter 92, 205129 (2015).
N. Ashcroft and N. Mermin, Solid State Physics (Holt, Rinehart, and Winston, New York, 1976; Mir, Moscow, 1979).