Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Detektor bức xạ ion hóa tích hợp sử dụng hợp chất cadmium sulfide-cadmium telluride
Pleiades Publishing Ltd - 1997
Tóm tắt
Bài báo mô tả một detektor tia X, trong đó tinh thể phát quang và photodiode được tích hợp trong cấu trúc của hợp chất dị thể. Các đặc tính của việc chuyển đổi bức xạ thành tín hiệu dòng điện được đưa ra cho tỷ lệ liều 1 R/h. Kết quả cho thấy rằng ngoài tính tiện lợi của thiết kế một khối, detektor tích hợp có điện áp bias có độ nhạy cao hơn nhiều so với các detektor hiện đang được sử dụng.
Từ khóa
#detector #bức xạ ion hóa #hợp chất dị thể #cadmium sulfide #cadmium telluride #tia X #độ nhạy #tín hiệu dòng điệnTài liệu tham khảo
V. D. Ryzhikov, P. E. Stadnik, and Yu. A. Yakovlev, Prib. Tekh. Éksp. No. 5, 6 (1989).
V. D. Ryzhikov, Scintillation Crystals of II-VI Semiconductor Compounds: Preparation, Properties, and Application [in Russsian] (NIITEKhIM, Moscow, 1989)
V. D. Ryzhikov, O. P. Verbitskii, E. M. Selegenev, and V. I. Silin, USSR Patent No. 1436794, publ. 05.05.1986.
O. P. Verbitskii, L. A. Kosyachenko, V. P. Makhnii, and V. D. Ryzhikov, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 14, 702 (1988) [Sov. Tech. Phys. Lett. 14, 311 (1988)].
V. E. Baranyuk, Ya. M. Barasyuk, and V. P. Makhnii, Ukr. Fiz. Zh. 41, 450 (1996).
C. Canali, M. Martini, G. Ottaviani, and K. Zanio, Phys. Lett. A 33, 241 (1970).