Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phản ứng quang điện tử trong các hợp chất dị thể β-FeSi2/n-Si tổng hợp bằng chùm ion
Tóm tắt
Các phản ứng quang của các tế bào quang điện sử dụng các hợp chất dị thể p+-β-FeSi2/n-Si tổng hợp bằng chùm ion (IBS) đã được nghiên cứu trong vùng bước sóng hồng ngoại (IR). Tại nhiệt độ phòng, một phản ứng quang đáng kể do sự phát xạ quang bên trong từ các mức bẫy trong β-FeSi2 với năng lượng ngưỡng Φ=0.62 eV đã được quan sát ở khoảng 0.6-0.87 eV. Sự gia tăng đáng chú ý của phản ứng quang tương ứng chủ yếu với một quá trình chuyển tiếp giữa các băng trong β-FeSi2 đã được quan sát tại khoảng 0.87-1.1 eV. Điểm cực đại chiếm ưu thế bởi một quá trình tái kết hợp bề mặt xuất hiện xung quanh ∼1.2 eV. Tốc độ tái kết hợp bề mặt ước tính khoảng ∼104 cm/s. Hiệu suất lượng tử đạt khoảng ∼60 % trong vùng bước sóng 0.8-1.0 µm và khoảng ∼14 % quanh khoảng cách băng của βFeSi2.
Từ khóa
#hợp chất dị thể #quang điện #ion-beam #β-FeSi2 #n-Si #hiệu suất lượng tửTài liệu tham khảo
Y. Makita in Future Generation Photovoltaic Technologies, edited by Mc. Conell, AIP, New York, 1997, p.3–10.
E. Boeker and R. van Grondelle, Environmental Physics., Wiley, Chichester, 1999, p.419.
for example, Thin Solid Films, Special Issue on Kankyo Semiconductors-Ecologically Friendly Semiconductors (in press).
H. Lange: phys. stat. sol. (b) 201, 3 (1997).
Y Maeda, K. Umezawa, K. Miyake, and M. Sagawa, SPIE Proc. 3419 354 (1998).
Y Maeda, K. Umezawa, K. Miyake, and M. Sagawa, Proc. 11 th International Conf. of Ion Implantation Technology (IIT ’98) Kyoto: IEEE Trans. ED (in press).
R. H. Bube, Photoelectronic Properties of Semiconductors, Cambridge Univ. Press, 1992.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley Pub., New York, 1981, p.749–751.
K. Lefki and P. Muret: J. Appl. Phys. 74 (1993) 1138.
R. H. Fowler, Phys. Rev. 38, 45 (1931).
M. Libezny, J. Poortmans, G. U. Reisnperger, M. Schmidt, V. Hoffmann, and H. Lang, Proc. 13th European Photovoltaic Solar Energy Conf., Nice, 1995, p.1326.