Ảnh hưởng của tạp chất đồng và các khuyết tật cấu trúc đối với các tính chất của hợp chất CdSnAs2

Springer Science and Business Media LLC - Tập 23 - Trang 448-453 - 1980
O. V. Voevodina1, A. P. Vyatkin1, T. V. Vedernikova1, V. G. Voevodin1, M. A. Krivov1, Ya. I. Otman1
1V. D. Kuznetsov Siberian Physicotechnical Scientific-Research Institute at the State University, Tomsk

Tóm tắt

Một nghiên cứu đã được tiến hành để tìm hiểu các cơ chế hình thành và tương tác của các tạp chất và khuyết tật nội sinh trong tinh thể CdSnAs2 trong quá trình nhiễm tạp đồng và trong quá trình ủ ở nhiệt độ thấp (300°C) sau đó. Điều này được thực hiện bằng cách khuếch tán đồng vào các mẫu có cấu trúc khuyết tật "ban đầu" khác nhau dưới điều kiện áp suất hơi asen được kiểm soát và áp dụng phương pháp phản ứng hóa học giả để phân tích dữ liệu thực nghiệm. Kết quả cho thấy rằng những đặc điểm vật lý của các tinh thể n-type CdSnAs2:Cu — mật độ thấp và tính di động cao của electron — là do tính phản ứng cao của đồng dẫn đến sự liên kết của các khuyết tật tinh thể ban đầu để hình thành các phức hợp trung tính. Nghiên cứu cũng cho thấy rằng việc ủ "bất thường" các mẫu CdSnAs2:Cu, dẫn đến hiện tượng chuyển đổi loại dẫn điện từ n sang p, liên quan đến sự lắng đọng của một dung dịch rắn của tạp chất cho phép (có khả năng là oxy). Nhiễm tạp bằng đồng được nhận thấy là một trong những phương pháp hiệu quả nhất để kiểm soát tính chất của CdSnAs2, đặc biệt trong việc chuẩn bị các tinh thể có điện trở cao.

Từ khóa

#CdSnAs2 #tạp chất đồng #khuyết tật cấu trúc #khuếch tán tạp chất #tính di động electron

Tài liệu tham khảo

V. D. Prochukhan, in: Ternary AIIBIVC V2 and AIIB III2 C VI4 Semiconductors [in Russian], Shtnintsa, Kishinev (1972), p. 64. O. V. Voevodina, A. P. Vyatkin, V. G. Voevodin, Ya. I. Otman, and V. L. Otts, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Fiz., No. 7, 39 (1973). F. A. Kröger, The Chemistry of Imperfect Crystals, North-Holland, Amsterdam; Wiley, New York (1964). G. A. Polyanskaya and Yu. V. Shmartsev, Fiz. Tekh. Poluprovodn.,4, 727 (1970). B. M. Askerov, Transport Effects in Semiconductors [in Russian], Nauka, Leningrad (1970). R. K. Kar and M. N. Mukherjee, Z. Physik,237, 16–20 (1970). T. A. Polyanskaya, Fiz. Tekh. Poluprovodn., 1239 (1970). V. V. Golovanov, G. A. Goryunova, N. M. Korshak, S. Mamaev, and A. Nazarov, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad),7, 3655 (1965). T. A. Polyanskaya, G. A. Sikharulidze, V. M. Tuchkevich, and Yu. V. Shmartsev, Fiz. Tekh. Poluprovodn.,1, 799 (1967).