Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tăng cường độ phân giải ngang của Kính hiển vi điện trở lan truyền quét
Tóm tắt
Bài báo này thảo luận về các vấn đề vốn có trong kính hiển vi điện trở lan truyền quét (SSRM) và các phương pháp để khắc phục chúng nhằm tăng cường độ phân giải của việc xác định nồng độ tạp chất hai chiều. Cụ thể, bài báo xem xét các vấn đề liên quan đến tiếp xúc giữa đầu dò và silicon, cũng như lớp bề mặt bị hư hại do kỹ thuật chuẩn bị mẫu. Sự suy giảm của hồ sơ tạp chất đo được đã được quan sát thấy khi đầu dò quét qua các tấm nitride. Những nỗ lực để giảm áp suất tiếp xúc cần thiết nhằm tăng tuổi thọ và hiệu quả của các đầu dò đã được đề cập. Lực cần thiết cho SSRM đã được giảm thành công sau khi lớp hư hại được loại bỏ một phần bằng phương pháp ăn mòn đồng nhất.
Từ khóa
#Kính hiển vi điện trở lan truyền quét #độ phân giải ngang #tạp chất #tiếp xúc đầu dò-silicon #ăn mòn đồng nhấtTài liệu tham khảo
National Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, San Jose, CA (1998)
“Status and review of 2-D carrier profiling using scanning probe microscopy,” De Wolf, Stephenson, Trenkler, Clarysse, Hantschel, and Vand ervorst. J. Vac. Sci. Technol. B 18 (1), (2000) 361–368
“Characterization of arsenic dose loss at the Si/SiO2 interface,” Kasnavi, Sun, Mo, Pianetta, Griffin, and Plummer. J. Appl. Phys. 87 (5), (2000) 2255-2260
“Characterization of a point-contact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements,” De Wolf, Snauwaert, Clarysse, Vand ervorst, and Hellemans. Appl. Phys. Lett 66 (12), (1995) 1530-1532
F. Llewilyn Jones, The Physics of Electrical Contacts Oxford University Press (1957)
Yu. V. Sharvin. Sov. Phys. JETP 21, (1965) 655–656