InGaAsN/GaAs heterostructures for long-wavelength light-emitting devices

Nanotechnology - Tập 11 Số 4 - Trang 201-205 - 2000
A. Yu. Egorov1, D. Livshits2,1, B. Borchert1, S. Illek1
1Infineon Technologies AG, Corporate Research, D-81730 München, Germany
2A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, St Petersburg, 194021, Russia

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1143/JJAP.35.1273

Egorov A Yu, 2000

Kageyama T, 1999, Japan. J. Appl. Phys., 38, L298, 10.1143/JJAP.38.L298

10.1063/1.125928

10.1103/PhysRevLett.82.1221

10.1049/el:19991109

10.1049/el:20000966

10.1049/el:19991513

10.1049/el:19990858

Borchert B, IEEE Photonics Technol. Lett., 12, 597, 10.1109/68.849055

10.1049/el:20000586

Thông tin
Thông tin xuất bản

Nanotechnology

Tập 11 Số 4

201-205

Thông tin tác giả