Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu XPS in situ về sự phát triển của lớp nguyên tử đầu tiên của phim Ta(N) được lắng đọng bằng quá trình ALD TBTDET nhiệt
Tóm tắt
Các phim Ta(N) là những thành phần quan trọng cho các ứng dụng vi điện tử hiện đại. Để đáp ứng các yêu cầu về thu nhỏ kích thước, lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) xuất hiện như một công nghệ thay thế so với PVD và CVD. Trong bài báo này, các nghiên cứu về quy trình ALD TBTDET nhiệt sẽ được trình bày, nhấn mạnh vào các chu kỳ phản ứng ALD đầu tiên trên bề mặt silicon oxide tự nhiên và silicon được ăn mòn bằng HF. Các nghiên cứu cho thấy hóa học của chất nền là một thông số quan trọng cho sự phát triển của phim và có vẻ như là chìa khóa để kiểm soát quá trình lắng đọng ALD. Các nghiên cứu đã được thực hiện bằng XPS mà không có bất kỳ ngắt chân không nào giữa quá trình lắng đọng và phân tích bề mặt.
Từ khóa
#ALD #lắng đọng lớp nguyên tử #TBTDET nhiệt #phim Ta(N) #silicon oxide #XPSTài liệu tham khảo
R.L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97 (2005) 121301 1–52
D. Schmidt, S. Strehle, M. Albert, W. Hentsch, J.W. Bartha, Microelectron. Eng. 85 (2008) 527–533
S. Strehle, H. Schumacher, D. Schmidt, M. Knaut, M. Albert, J.W. Bartha, Microelectron. Eng. 85 (2008) 2064– 2067
D. Briggs, M.P. Seah. Practical Surface Analysis - Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy, Vol. 1, John Wiley & Sons 1990
P. J. Cumpson and M. P. Seah, Surf. Inter. Anal. 25 (1997) 430–446
F. Volpi, L. Cadix, G. Berthomé, E. Blanquet, N. Jourdan, J. Torres, Microelectron Eng. 85 (2008) 2068–2070
S. Takeda, M. Fukawa, Y. Hayashi, K. Matsumoto, Thin Solid Films 339 (1999) 220–224
S.R. Kasi, M. Liehr, P.A. Thity, H. Dallaporta, M. Offenberg, Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 108–110