Tác động của Ranh giới Hạt Trong Mặt Đến Tính Chất Vận Tải của Phim Mỏng La0.7Sr0.3MnO3-δ

Springer Science and Business Media LLC - 1997
Jiyeong Gu1, Satishchandra Ogale2, K. Ghosh2, T. Venkatesan2, R. Ramesh2, Velimir Radmilović3, U. Dahmen3, G. A. Thomas3, Tae Won Noh4
1Center for Superconductivity Research, Department of Physics, University of Maryland, College Park, MD 20742 USA
2Center for Superconductivity Research,Department of Physics, University of Maryland, College Park, USA
3National Center for Electron Microscopy, Berkeley, CA, 94720, USA
4Department of Physics, Seoul National University, Seoul, Korea

Tóm tắt

TÓM TẮTCác phim La0.7Sr0.3MnO3.δ (LSMO) được tạo ra theo hướng trục C trên nền SrTiO3/YBa2Cu3O7 được nuôi cấy trên các substrat MgO(001). Từ các phép đo φ-scan bằng tia X và kính hiển vi điện tử truyền thống, lớp LSMO trong cấu trúc dị thể LSMO/SrTiO3/YBa2Cu3O7/MgO được phát hiện có ranh giới hạt đồng nhất trong mặt phẳng với sự chiếm ưu thế của các phép quay 45° (giữa các hạt [100] và [110]), ngoài mối quan hệ epitaxy cầu trên cầu. Ngoài ra, LSMO/Bi4Ti3O12/LaAl3 (001) và LSMO/Bi4Ti3O12/SiO2/Si(001) có kết cấu trục C và ranh giới hạt ngẫu nhiên được giới thiệu để so sánh. Độ dẫn điện và điện trở từ (MR) của lớp LSMO đã được đo và so sánh trong ba cấu trúc dị thể khác nhau này. Điện trở từ tại trường thấp ở nhiệt độ thấp cho thấy mối quan hệ phụ thuộc mạnh mẽ vào bản chất của ranh giới hạt. Một nỗ lực được thực hiện để giải thích các kết quả này dựa trên mối tương quan giữa các tính chất từ và cấu trúc hạt.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1103/PhysRevB.56.8138

10.1103/PhysRevLett.77.2041

10.1103/PhysRevB.54.R15629

10.1038/387266a0

10.1063/1.102932

10.1063/1.118649

10.1103/PhysRev.82.403

10.1063/1.119702

10.1063/1.115529

10.1063/1.119747

Thông tin
Thông tin xuất bản

Springer Science and Business Media LLC

Thông tin tác giả