Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cải thiện Tính Chất Giữ Nạp của Tụ MFIS YMnO3/Y2O3/Si
Tóm tắt
Chúng tôi đã đề xuất YMnO3 với độ phân cực dư và độ điện thẩm thấp như một transistor cổng ferroelectric, và báo cáo rằng các lớp phim YMnO3 hướng c đã được chế tạo trên bề mặt (111)Si với lớp đệm Y2O3 hướng (111). Tính ferroelectric đã được xác nhận thông qua đo đạc C-V xung. Tuy nhiên, tính chất giữ nạp không đạt yêu cầu do độ tinh thể kém. Để cải thiện độ tinh thể của các lớp phim YMnO3, các điều kiện lắng đọng của Phương pháp Lắng đọng Laser Xung (PLD) đã được tối ưu hóa. Công suất laser, áp suất oxy và tiêm khí Ozone là hiệu quả cho việc duy trì tỉ lệ thành phần trong quá trình lắng đọng. Cải thiện độ tinh thể của lớp phim YMnO3 giúp tính chất giữ nạp tốt hơn. Chúng tôi cũng chứng minh việc sử dụng lớp đệm Y2O3 được phát triển epitaxy nhằm cải thiện độ tinh thể của các lớp phim YMnO3.
Từ khóa
#YMnO3 #Y2O3 #Ferroelectric #Transistor cổng #Tính chất giữ nạp #Lắng đọng Laser Xung #Độ tinh thểTài liệu tham khảo
J. F. Scott and C. A. de Paz Araujo: Science 246 (1989) 1400.
N. Fujimura, S. Azuma, N. Aoki, Yoshimura T and T. Ito: J. Appl. Phys. 80 (1996) 7084.
T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Aoki, K. Hokayama, S. Tsukui, K. Kawabata and T. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5921.
T. Yoshimura, N. Fujimura and T. Ito: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 414.
T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito and T. Ito: J. Appl. Phys. 87 (2000) 3444.
H. Fukumoto, T. Imura and Y. Osaka: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 360.
D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura, and T. Ito: Appl. Surf. Sci. 159–160 (2000) 138.
S. L. Miller, R. D. Nasby, J. R. Schwank, M. S. Rodgers, and P. V. Dressendorfer: J. Appl. Phys. 68 (1990) 6463.