Cải thiện đặc tính quang điện của màng a-SiO:H

Debabrata Das1, S. M. Iftiquar1, Debajyoti Das1, A. K. Barua1
1Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Calcutta, India

Tóm tắt

Màng silicon oxide amorphous hydro hóa (a-SiO:H) được chuẩn bị bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma tần số vô tuyến (PECVD) gần đây đã chứng minh tiềm năng của chúng như một vật liệu quang điện cho việc chế tạo các tế bào quang điện silicon amorphous đa nối hiệu suất cao. Nếu được lắng đọng dưới các điều kiện thích hợp, nó có thể là một vật liệu chênh lệch năng lượng rộng hơn so với a-SiC:H thường được sử dụng. Trong bài báo này, chúng tôi báo cáo những cải tiến đã đạt được so với các kết quả đã được báo cáo trước đây. Các màng được đặc trưng chi tiết về các đặc tính quang điện, đặc điểm cấu trúc, mật độ lỗi và sự suy giảm do ánh sáng gây ra.

Từ khóa

#silicon oxide amorphous #quang điện #tế bào năng lượng mặt trời #lắng đọng hơi hóa học #vật liệu chênh lệch năng lượng rộng

Tài liệu tham khảo

K. Haga, A. Murakami, K. Yamamoto, M. Kumanoand H. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys. 30(1991) 3331.

Y. Ichikawa, S. Fujikake, H. Ohta, T. Sasakiand H. Sakai, Proc. 22-nd IEEE Photovoltaic Conf. (LasVegas, 1991) p. 1296.

A. Morimoto, H. Noriyamaand T. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 26(1987) 22.

G. Suchaneck, O. Steinke, B. Alhallaniand K. Schade, J. Non-Cryst. Solids 187(1995) 86.

P. Sichanugrist, T. Yoshida, Y. Ichikawaand H. Sakai J.Non-Cryst.Solids, 164–166 (1993) 1081.

H. Watanabe, K. Hagaand T. Lohner, J. Non-Cryst. Solids 164–166 (1993) 1085.

S. Fujikake, H. Ohta, P. Sichanugrist, M. Ohsawa, Y. Ichikawaand H. Sakai, Optoelectronics— Devices and Technologies 9(1994) 379.

Debajyoti Das, S. M. Iftiquar, and A. K. Barua, J. Non-Cryst. Solids 210(1997) 148.

G. Lucovsky, J. Yang, S. S. Chao, J. E. Tylerand W. Czubatyj Phys. Rev. B 28(1983) 3225.

L. He, T. Inokuma, Y. Kurata, and S. Hasegawa, J. Non-Cryst. Solids 185(1995) 249.

S. H. Baker, W. E. Spear, and R. A. G. Gibson, Phil. Mag. B 62(1990) 213.