Improved uniformity of GaAs by carbon control

Semiconductor Science and Technology - Tập 7 Số 1A - Trang A224-A228 - 1992
R.M. Ware1, Philipp Doering1, B.E. Freidenreich1, R T Koegl1, T. C. Collins1
1Rowland Ware Consultancy, Westwood, MA, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Pearah P J, 1988, 195

Brozel M R, 1986, 217

Desnica U V, 1987, 33

Hunter A T, 1984, Appl. Phys. Lett., 44, 74, 10.1063/1.94557

Nishio J, 1988, 180

Itoh Y, 1989, Jpn. J. Appl. Phys., 28, 210, 10.1143/JJAP.28.210

Doering P J, 1990, 173

Rumsby D H, 1981, 573

Thông tin
Thông tin xuất bản

Semiconductor Science and Technology

Tập 7 Số 1A

A224-A228

Thông tin tác giả