Improved multi-recessed p-buffer 4H–SiC metal-semiconductor field-effect transistor with high power added efficiency

Current Applied Physics - Tập 49 - Trang 100-108 - 2023
Shunwei Zhu1, Hujun Jia1, Yintang Yang1
1Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an, 710071, China

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Current Applied Physics

Tập 49

100-108

Thông tin tác giả