Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cải thiện tiếp xúc điện trở thấp của Ni/Au và Pd/Au với GaN p-typ bằng cách sử dụng điều trị cryogenic
Tóm tắt
Một tiếp xúc Ohmic có điện trở thấp đối với GaN loại p là điều cần thiết cho hoạt động đáng tin cậy của các thiết bị điện tử và quang điện. Các tiếp xúc như vậy đã được chế tạo bằng cách sử dụng các tiếp xúc Ni/Au và Pd/Au với GaN loại p được dop Mg (1.41×1017 cm−3) lớn lên bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD) trên các nền sapphire (0001). Phương pháp bay hơi nhiệt đã được sử dụng để lắng đọng các kim loại này, tiếp theo là quá trình xử lý nhiệt ở nhiệt độ từ 400 đến 700 °C trong môi trường khí hỗn hợp oxy và nitơ, sau đó làm nguội bằng nitơ lỏng, điều này đã giảm điện trở tiếp xúc riêng từ khoảng 9.46∼2.80×10−2 ωcm2 xuống 9.84∼2.65×10−4 ωcm2 đối với Ni/Au và từ khoảng 8.35∼5.01×10−4 ωcm2 xuống 3.34∼1.80×10−4 ωcm2 đối với Pd/Au. Các đặc tính điện của các tiếp xúc đã được kiểm tra qua các đường cong dòng điện so với điện áp và điện trở tiếp xúc riêng được xác định thông qua phương pháp đường truyền tròn (c-TLM). Các ảnh hưởng của quy trình cryogenic đến việc cải thiện hành vi Ohmic (tính tuyến tính I-V) và giảm điện trở tiếp xúc riêng sẽ được thảo luận từ phân tích vi cấu trúc cho thấy công nghệ tạo ra tiếp xúc Ohmic.
Từ khóa
#Tiếp xúc Ohmic #GaN #Ni/Au #Pd/Au #xử lý cryogenic #MOCVD #điện trở tiếp xúc.Tài liệu tham khảo
S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797(1995).
S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
S. Nakamura, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L217 (1996).
P. H. Holloway, T-J. Kim, J. T. Trexler, S. Miller, J. J. Fijol, W. V. Lampert, T. W. Haas, Appl. Sur. Sci., 117/118, 362 (1997).
Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, J. Elec, Mat., V28.341(1999).
J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, M. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., V449, 1091 (1997).
T. Kim, J. Khim, S. Chae, and T. Kim, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., V468, 427(1997).
J. K. Kim and J. Lee, Appl. Phy. Lett., 73, 2953 (1998).
E. H. Rhoderick and R. H. Williams, “ Metal-Semiconductor contacts”, Clarendon, 2nd, P206(1988).
H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, J. M. Delucca, S. D. Walter, J. M. Redwing, and G. E. Bulman, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., V468, 431(1997).
J. T. Trexler, S. J. Miller, P. H. Holloway, M. A. Kwan, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., V395, 819(1996).
E. A. Brandes, “Smithells Metals Reference Book”, Batterworths, 6th Ed.
K. J. Duxstad, E. E. Haller, K. M. Yu, M. T. Hirsch, W. R. Imler, D. A. Steigerwald, F. A. Ponce, and L. T. Romano, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., V449, 1049 (1997).