Hydrogenation effects during high-density plasma processing of GaAs MESFETS

Semiconductor Science and Technology - Tập 12 Số 9 - Trang 1154-1160 - 1997
F. Ren1, J W Lee2, C. R. Abernathy2, S. J. Pearton2, R. J. Shul3, C. Constantine4, C. Barratt4
1Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, NJ 07974, USA
2Department of materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA
3Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM 87185 USA
4Plasma-Therm IP, St Petersburg, FL 33716, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1063/1.108016

Nakajima O, 1992, Japan. J. Appl. Phys., 31, L1704, 10.1143/JJAP.31.L1704

10.1063/1.105950

10.1063/1.105950

Shur M S, 1990

Williams R, 1990

Ren F, 1994, Mater. Sci. Forum, 148, 141, 10.4028/www.scientific.net/MSF.148-149.141

Pearton S J, 1994, Mater. Sci. Forum, 148, 113, 10.4028/www.scientific.net/MSF.148-149.113

Pearton S J, 1992

Moehrle M, 1990, Appl. Phys. Lett., 57, 42

10.1116/1.584143

10.1063/1.339601

10.1063/1.99824

10.1103/PhysRevB.44.1375

Chevallier J, 1991

Pearton S J, 1990, Mater. Sci. Rep., 4, 313, 10.1016/S0920-2307(05)80001-5

D'Avanzo D C, 1982, IEEE Electron Devices, 29, 1051, 10.1109/T-ED.1982.20833

10.1063/1.102683

10.1116/1.584906

10.1116/1.575815

Popov O A, 1996

Pang S W, 1986, J. Electrochem. Soc., 133, 756

Thông tin
Thông tin xuất bản

Semiconductor Science and Technology

Tập 12 Số 9

1154-1160

Thông tin tác giả