Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phim DLC Hàm Lượng sp3 Cao, Không Chứa Hydro Được Sản Xuất Bằng Phương Pháp Tách Laser Xung Từ Than Amorphous
Tóm tắt
Kỹ thuật lắng đọng bằng laser xung là một phương pháp độc đáo để lắng đọng một loạt các màng mỏng. Các màng này bao gồm các màng từ tính và quang học, các bán dẫn mới, siêu dẫn nhiệt độ cao, và các màng carbon giống kim cương. Vật liệu Carbon vô định hình được bay hơi từ một mục tiêu rắn, bị ion hóa bởi laser KrF năng lượng cao và được thải ra như một luồng plasma. Luồng plasma mở rộng ra ngoài và lắng đọng vật liệu mục tiêu lên bề mặt silicon. Các thông số plasma và dòng chảy trong luồng plasma này xác định chất lượng của màng được lắng đọng lên bề mặt. Trong các thí nghiệm này, một prob Langmuir bốn cực được sử dụng để xác định các tính chất plasma khác nhau trong luồng plasma phụ thuộc vào mật độ năng lượng laser trên mục tiêu, kích thước điểm laser trên mục tiêu và vị trí của probe so với mục tiêu. Các tính chất này bao gồm nhiệt độ electron, tốc độ dòng ion, năng lượng động học của ion, tham số đỉnh của luồng plasma, và mật độ ion. Phân tích màng được thực hiện bằng quang phổ mất năng lượng electron (EELS) cho thấy rằng các màng DLC đã được lắng đọng thành công với nồng độ sp3 vượt quá 72%.
Từ khóa
#màng mỏng #lắng đọng laser xung #plasma #electron #màng carbon giống kim cương #vật liệu carbon vô định hình #siêu dẫn #quang phổ mất năng lượng electronTài liệu tham khảo
Q. Wei, A.K. Sharma, R.J. Narayan, N.M. Ravindra, S. Oktyabrsky, J. Sankar, and J.F. Muth in Advances in Laser Ablation of Materials, edited by Rajiv K. Singh, Douglas H. Lowndes, Douglas B. Chrisey, Eric Fogarassy and Jagdish Narayan, (Mater. Res. Soc. Proc. 526, Warrendale PA, 1998) pp. 331–336.
R.J. Narayan, Q. Wei, A.K. Sharma, J.J. Cuomo, and J. Narayan in Advances in Laser Ablation of Materials, edited by Rajiv K. Singh, Douglas H. Lowndes, Douglas B. Chrisey, Eric Fogarassy, and Jagdish Narayan, (Mater. Res. Soc. Proc. 526, Warrendale PA, 1998) pp. 355–360.
R.M. Mayo, J.W. Newman, A. Sharma, Y. Yamagata, and J. Narayan. Journal of Applied Physics, 86, pp. 2865–2871 (1999).
R.M. Mayo, J.W. Newman, Y. Yamagata, A. Sharma, and J. Narayan. Journal of Applied Physics, 88, pp. 6868–6874 (2000).
D.H. Lowndes, V.I. Merkulov, A.A. Puretzky, D.B. Geohegan, G.E. Jellison Jr, C.M. Rouleau, and T. Thundat in Advances in Laser Ablation of Materials, edited by Rajiv K. Singh, Douglas H. Lowndes, Douglas B. Chrisey, Eric Fogarassy, and Jagdish Narayan, (Mater. Sci. Res. Soc. Proc. 526, Warrendale PA, 1998) pp. 325–330.
Jason D. Haverkamp. M.S. Thesis, North Carolina State University, 2001.
J. Kulik, Y. Lifshitz, G.D. Lempert, J.W. Rabalais, and D. Marton. Journal of Applied Physics, 76, (1994).
R.K. Singh, O. W. Holland, and J. Narayan. Journal of Applied Physics, 68, pp. 233–247. (1990).
Douglas H. Lowndes, in Growth and Doping of Compound Semiconductor Films by Pulsed Laser Ablation. Experimental Methods in the Physical Sciences, Volume 30: Laser Ablation and Desorption, edited by J.C. Miller and R.F. Haglund, (Academic Press, San Diego, 1998) pp. 475–557.