Hot-electron induced degradation in AlGaAs/GaAs HEMTs

Microelectronic Engineering - Tập 19 - Trang 405-408 - 1992
C. Tedesco1, C. Canali2, F. Magistrali3, A. Paccagnella1, E. Zanoni1
1Dipartimento di Elettronica ed Informatica, Via Gradenigo 6a, 35131, Padova, Italy
2Facolta′ di Ingegneria, Universita′ di Modena, Via Campi 213/A, 41100 Modena, Italy
3ALCATEL-TELETTRA, Via Trento 30, 35131 Vimercate, Italy

Tài liệu tham khảo

Tedesco, 1991, IEDM Tech. Digest, 437 Hu, 1985, IEEE Trans. El. Dev., ED-32, 375 Watanabe, 1992, 127 Ladbrooke, 1988, IEEE Trans. El. Dev., 35, 257, 10.1109/16.2449
Thông tin
Thông tin xuất bản

Microelectronic Engineering

Tập 19

405-408

Thông tin tác giả