Phát quang điện tử nóng từ cấu trúc nano laser trong chế độ phát xạ tự phát và bị kích thích và sự hấp thụ bức xạ hồng ngoại của electron nóng trong giếng lượng tử

Allerton Press - Tập 73 - Trang 73-76 - 2009
L. E. Vorobjev1, V. L. Zerova1, D. A. Firsov1, V. A. Shalygin1, M. Ya. Vinnichenko1, V. Yu. Panevin1, P. Thumrongsilapa1, K. S. Borshchev2, A. E. Zhukov2, Z. N. Sokolova2, I. S. Tarasov2, G. Belenky3, S. Hanna4, A. Seilmeier4
1St. Petersburg State Polytechnic University, St. Petersburg, Russia
2Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3State University of New York at Stony Brook, Stony Brook, New York, USA
4Institute of Physics, University of Bayreuth, Bayreuth, Germany

Tóm tắt

Sự gia nhiệt của hạt mang điện và sự phụ thuộc của nồng độ hạt mang vào dòng điện trong các cấu trúc bán dẫn laser giếng lượng tử đã được nghiên cứu trong điều kiện phát xạ tự phát và bị kích thích. Sự hấp thụ giữa các dải trong các giếng lượng tử nối hầm đã được điều tra dưới ảnh hưởng của sự gia nhiệt hạt mang do điện trường bên và dưới sự kích thích quang với công suất cao.

Từ khóa

#hạt mang điện #phát xạ tự phát #phát xạ bị kích thích #giếng lượng tử #hấp thụ bức xạ hồng ngoại

Tài liệu tham khảo

Vorob’ev, L.E., Zerova, V.L., Borshchev, K.S., et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg), 2008, vol. 42, no. 6, p. 753 [Semiconductors (Engl. Transl.), vol. 42, no. 6, p. 737]. Vorob’ev, L.E., Danilov, S.N., Zerova, V.L., and Firsov, D.A., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg), 2003, vol. 37, no. 5, p. 604 [Semiconductors (Engl. Transl.), vol. 37, no. 5, p. 622]. Bayanov, I.M., Danielius, R., Heinz, P., and Seilmeier, A., Opt. Commun., 1994, vol. 113, p. 99.