Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Highly-ordered ripple structure induced by normal incidence sputtering on monocrystalline GaAs (001): ion energy and flux dependence
Vacuum
- Tập 129
- Trang 122-125
- 2016
Debasree Chowdhury
1
,
Debabrata Ghose
1
1
Saha Institute of Nuclear Physics, Sector – I, Block – AF, Bidhan Nagar, Kolkata 700064, India
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1016/j.vacuum.2016.04.019
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Vacuum
Tập/Số:
Tập 129
Trang:
122-125
Thông tin tác giả