High voltage 6H-SiC rectifiers: prospects and progress

IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 40 Số 11 - Trang 2130 - 1993
Philip G. Neudeck1, David Larkin1, J. A. Powell1, L. G. Matus1
1NASA Lewis Res. Center, Cleveland, OH, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/16.199372