Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Quan sát vi cấu trúc điện tử độ phân giải cao và nghiên cứu phản xạ điện tử ở nhiệt độ thấp của tinh thể đơn Bi2212 được lớn lên bằng phương pháp vùng nổi
Tóm tắt
Kính hiển vi điện tử độ phân giải cao đối với một tinh thể đơn Bi2Sr2CaCu2O8 (Bi2212) được chế tạo bằng phương pháp vùng nổi cho thấy tinh thể đơn này có chất lượng cao; không có lỗi cấu trúc kết hợp trong cấu trúc lớp dọc theo trục c. Nghiên cứu tán xạ khu vực được chọn ở nhiệt độ thấp và tán xạ điện tử chùm hội tụ (CBED) của tinh thể đơn chất lượng cao này cho thấy không có sự thay đổi nào có thể phát hiện được về cả nhóm điểm đối xứng của cấu trúc cơ bản và cấu trúc điều chế từ nhiệt độ phòng xuống khoảng 15 K. Tuy nhiên, một dị thường lưới xung quanh 215 K đã được chỉ ra bằng cách đo sự phụ thuộc nhiệt độ của tỷ lệ giữa các khoảng cách giao điểm của các đường HOLZ trong các mẫu CBED có chỉ số cao. Sự hiện diện của dị thường lưới đã được xác nhận thêm bằng cách tán xạ tia X ở nhiệt độ thấp.
Từ khóa
#Bismuth-based cuprate #tinh thể đơn #kính hiển vi điện tử #tán xạ điện tử #dị thường lướiTài liệu tham khảo
H. Maeda, Y. Tanaka, M. Fukutomi, and T. Asano,Jnp. J. Appl. Phys. 27, L209 (1988).
P. M. Horn, D. T. Keane, G. A. Held, J. L. Jordan-Sweet, D. L. Kaiser, F. Holtzberg, and T. M. Rice,Phys. Rev. Lett. 59, 2772 (1987).
X. Chen, R. Z. Ma, G. H. Cao, and Y. Li,Solid State Commun.,96, 957 (1995).
B. H. Toby, T. Egami, J. D. Jorgensen, and M. A. Subramanian,Phys. Rev. Lett. 64, 2414 (1990).
M. Arai, K. Yamada, Y. Hidaka, S. Ioth, Z. A. Bowden, A. D. Taylor, and Y. Endoh,Phys. Rev. Lett. 69, 359 (1992).
T. Nishida, Y. Takashima, M. Katada, Y. Matsumoto, and T. Arakawa,Physica C 191, 297 (1992).
L. Donzel, Y. Mi, and R. Schaller,Physica C 250, 75 (1995).
Y. He, B. Zhang, S. Lin, J. Xiang, Y. Lou, and H. Chen,J. Phys. F: Met. Phys. 17, L243 (1987).
Y. N. Wang, H. M. Shen, and M. Zhu,Phys. Lett. A. 158, 413 (1991).
Y. N. Wang, J. Wu, H. M. Shen, J. S. Zhu, X. H. Chen, Y. F. Yan, and Z. X. Zhao,Phys. Rev. B 41, 8981 (1990).
H. Matsui, Y. Tada, M. Kiritani, and I. Nakagawa, Abstract of the Spring Meeting of JIM (1991), p. 352.
T. Mochiku and K. Kadowaki,Physica C 235–240, 523 (1994).
H. Budin, O. Eibl, P. Pongratz, and P. Skalicky,Physica C 207, 208 (1993).
R. Ramesh, G. van Tendeloo, G. Thomas, S. M. Green, and H. L. Luo,Appl. Phys. Lett. 53, 2220 (1988).
A. Sequeira, H. Rajagopal, and J. V. Yakhmi,Physica C 157, 515 (1989).
K. Imai, I. Makai, T. Kawashima, S. Sueno, and A. Ono,Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1661 (1988).
P. Bordet, J. J. Capponi, C. Chaillout, J. Chenavas, A. W. Hewat, E. A. Hewat, J. L. Hodeau, M. Marezio, J. L. Tholence, and D. Tranqui,Physica C 156, 189 (1988).
P. Goodman, P. Miller, T. J. White, and R. L. Withers,Acta Crystallogr. B 48, 376 (1992).
A. W. S. Johnson,Acta Crystallogr. A 28, 89 (1984).
J. W. Steeds, inIntroduction to Analytical Electron Microscopy, J. J. Hren, J. I. Goldstein, and D. C. Joy, eds. (Plenum Press, New York and London, 1979), pp. 387–422.
S. J. Rozeveld and J. M. Howe,Ultramicroscopy 50, 41 (1993).
H. J. Maier, R. R. Keller, H. Renner, H. Mughrabi, and A. Preston,Philos. Mag. A 74, 23 (1996).
D. Mukherji and R. P. Wahi,Scri. Metall. 35, 117 (1996).
E. Kaldis, P. Fischer, A. W. Hewat, E. A. Hewat, J. Karpinkski, S. Rusiecki,Physica C 159, 668 (1989).
A. Koizumi, H. Maruyama, H. Yamazaki, H. Maeda, T. Ishii, Y. Miura, and J. Takada,Physica C 190, 338 (1992).
J. Mustre de Leon, S. D. Conradson, I. Batistic, and A. R. Bishop,Phys. Rev. Lett. 65, 1675 (1990).
T. Ruf, C. Thomsen, R. Liu, and M. Cardona,Phys. Rev. B 38, 11985 (1988).
T. Haga, K. Yamaya, Y. Abe, Y. Tajima, and Y. Hidaka,Phys. Rev. B 41, 826 (1990).
M. Arai, K. Yamada, S. Hosoya, A. C. Hannon, Y. Hidaka, A. D. Taylor, and Y. Endoh,Bull. Electrotech. Lab. 58, 22 (1994).
A. Bianconi, M. Missori, H. Oyanagi, H. Yamaguchi, D. H. Ha, and Y. Nishihara,Bull. Electrotech. Lab. 58, 16 (1994).
M. Sato,Bull. Phys. Soc. Jpn. (Butsuri),52, 174 (1997).
Y. He, J. Xiang, X. Wang, A. S. He, J. C. Zhang, and F. G. Chang,Phys. Rev. B 40, 7384 (1989).