High-power (>0.5-W CW) diode-pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers with circular TEM/sub 00/ beams

IEEE Photonics Technology Letters - Tập 9 Số 8 - Trang 1063-1065 - 1997
M. Kuznetsov1, F. Hakimi2, Robert A. Sprague, A. Mooradian
1Raytheon Company, Lexington, MA, USA
2MIT Lincoln Laboratories, Lexington, MA, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/68.508707

10.1109/3.234464

10.1364/OL.14.000024

10.1063/1.110710

10.1063/1.109657

mooradian, 0, External cavity semiconductor laser

10.1109/68.473483

10.1109/68.481101

10.1109/2944.401196

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Photonics Technology Letters

Tập 9 Số 8

1063-1065

Thông tin tác giả