Diode laser sóng gợn rãnh 980-nm công suất cao với trường quang mở rộng không đối xứng theo phương vuông góc với lớp hoạt động

IEEE Journal of Quantum Electronics - Tập 38 Số 8 - Trang 1081-1088 - 2002
K.I. Shigihara1, K. Kawasaki1, Y. Yoshida1, S. Yamamura1, T. Yagi1, E. Omura1
1High Frequency and Optical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation Limited, Hyogo, Japan

Tóm tắt

Chúng tôi đề xuất một loại diode laser sóng gợn rãnh mới (LD) hỗ trợ một trường quang mở rộng không đối xứng vuông góc với lớp hoạt động nhằm tăng cường công suất đầu ra tối đa không bị gãy và giảm tỷ lệ diện tích mặt cắt của các chùm sáng đầu ra. Mối liên hệ của công suất đầu ra tối đa không bị gãy với độ phản xạ của mặt kính đã được phân tích từ góc độ tổng công suất quang trong khoang cộng hưởng. Chúng tôi đã làm rõ rằng công suất đầu ra tối đa không bị gãy bị ảnh hưởng bởi độ phản xạ của mặt kính, điều này tác động đến sự thay đổi chỉ số khúc xạ của vùng gợn rãnh thông qua tổng công suất quang trong khoang. Hơn 600 mW công suất đầu ra tối đa không bị gãy và tỷ lệ diện tích mặt cắt nhỏ hơn 2.5 đã được đạt được trong các thí nghiệm với diode laser sóng gợn rãnh 980-nm thông qua cấu trúc mới được đề xuất này.

Từ khóa

#Sóng gợn quang #Diode laser #Sự khúc xạ quang #Kiểm soát biến quang #Phát điện #Bơm quang #Hệ thống đa truy cập phân chia theo bước sóng #Độ phản xạ #Laser sợi quang được dop erbium #Các chế độ laser

Tài liệu tham khảo

sugo, 1996, development of 1.02-<formula><tex>$\mu$ </tex></formula>m pump laser diodes, OSA TOPS on Optical Amplifiers and their Applications, 5, 101 10.1109/68.730481 10.1063/1.347396 10.1049/el:19790545 10.1364/AO.34.006118 10.1049/el:19930001 10.1049/el:19980674 10.1049/el:19980302