Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Cấu trúc Hetero HfZnO/ZnO Được Chế Tạo Bằng Quy Trình Phun Phún Thấp Chi Phí Và Tương Thích Với Khu Vực Lớn
Tóm tắt
Chúng tôi đã điều tra các tính chất điện của các cấu trúc Hetero HfxZn1-xO/ZnO được chế tạo bằng phương pháp phun phún tần số cao (rf-sputtering). Quá trình xử lý nhiệt trên ZnO trước khi lắng đọng HfxZn1-xO ảnh hưởng rất lớn đến các tính chất của các cấu trúc này. Một giao diện dẫn điện cao được hình thành tại giao diện giữa các lớp mỏng HfxZn1-xO và ZnO khi nhiệt độ xử lý nhiệt của ZnO vượt quá 500°C, dẫn đến sự giảm đáng kể của điện trở. Điện trở giảm khi tăng độ dày hoặc hàm lượng Hf của lớp phủ HfxZn1-xO. Cấu trúc Hetero Hf0.05Zn0.95O/ZnO với lớp ZnO dày 200 nm đã được xử lý nhiệt ở 600°C thể hiện độ di động của tải điện là 14.3 cm2V-1s-1 và nồng độ tải điện trên đơn vị bề mặt là 1.93×1013 cm-2; các giá trị tương ứng cho màng mỏng ZnO đơn thuần là 0.47 cm2V-1s-1 và 2.27×1012 cm-2, tương ứng. Các cấu trúc Hetero HfZnO/ZnO được chế tạo bằng phương pháp phun phún rf có tiềm năng được sử dụng để tăng độ di động của tải điện trong các transistor màng mỏng trong điện tử diện tích lớn.
Từ khóa
#HfZnO/ZnO #cấu trúc hetero #tính chất điện #xử lý nhiệt #độ di động tải điệnTài liệu tham khảo
J.-S. Bae, Y.-E. Jeong, S. Park, Applied Surface Science 321 (2014) 98.
K.N. Hui, K. San Hui, Q. Xia, T.V. Cuong, Y.-R. Cho, J. Singh, P. Kumar, E.J. Kim, ECS Solid State Letters 2/6 (2013) Q43.
J. Hassan, M. Mahdi, Y. Yusof, H. Abu-Hassan, Z. Hassan, H. Al-Attar, A. Monkman, Optical Materials 35/5 (2013) 1035.
M. Xi, X. Wang, Y. Zhao, Z. Zhu, H. Fong, Applied Physics Letters 104/13 (2014) 133102.
T.-P. Chen, K.-H. Lee, S.-P. Chang, S.-J. Chang, P.-C. Chang, Applied Physics Letters 103/2 (2013) 022101.
L. Wang, Y. Kang, X. Liu, S. Zhang, W. Huang, S. Wang, Sensors and Actuators B: Chemical 162/1 (2012) 237.
M. Chen, Z. Wang, D. Han, F. Gu, G. Guo, The Journal of Physical Chemistry C 115/26 (2011) 12763.
J. Wu, H. Lin, P. Kuo, B. Su, S. Chu, Y. Chen, S. Liu, C. Chang, C. Wu, Electron Devices, IEEE Transactions on 61/5 (2014) 1403.
Y. Caglar, M. Caglar, S. Ilican, S. Aksoy, F. Yakuphanoglu, Journal of Alloys and Compounds (2014).
Y.V. Li, J.I. Ramirez, K.G. Sun, T.N. Jackson, Electron Device Letters, IEEE 34/7 (2013) 891.
K.-S. Jeong, Y.-M. Kim, H.-J. Yun, S.-D. Yang, Y.-S. Kim, M.-H. Kang, H.-D. Lee, G.-W. Lee, Electron Device Letters, IEEE 32/12 (2011) 1701.
Q. Nian, M.Y. Zhang, B.D. Schwartz, G.J. Cheng, Applied Physics Letters 104/20 (2014) 201907.
C. Guillén, J. Montero, J. Herrero, Applied Surface Science 264 (2013) 448.
M. Fujii, Y. Ishikawa, R. Ishihara, J. van der Cingel, M.R. Mofrad, M. Horita, Y. Uraoka, Applied Physics Letters 102/12 (2013) 122107.
J. Sun, W. Yang, Y. Huang, W.S. Lai, A.Y. Lee, C.F. Wang, H. Gong, Journal of Applied Physics 112/8 (2012) 083709.
C.H. Ahn, J.H. Kim, H.K. Cho, Journal of the Electrochemical Society 159/4 (2012) H384.
S. Qadri, H. Kim, J. Horwitz, D. Chrisey, Journal of Applied Physics 88/11 (2000) 6564.
M.-C. Lin, Y.-J. Chang, M.-J. Chen, C.-J. Chu, Journal of The Electrochemical Society 158/6 (2011) D395.
S.-B. Zhu, Y. Geng, H.-L. Lu, Y. Zhang, Q.-Q. Sun, S.-J. Ding, D.W. Zhang, Journal of Alloys and Compounds (2013).
Y. Geng, Z.-Y. Xie, W. Yang, S.-S. Xu, Q.-Q. Sun, S.-J. Ding, H.-L. Lu, D.W. Zhang, Surface and Coatings Technology/0 (2013).
M. Ahmad, Z. Iqbal, Z.L. Hong, J.X. Yang, Y.W. Zhang, N.R. Khalid, E. Ahmed, Integr Ferroelectr 145/1 (2013) 108.
X. Zhou, Y.-a. Zhang, W. Shi, T. Guo, Journal of Materials Science: Materials in Electronics (2012) 1.
X. Zhou, D. Jiang, F. Lin, X. Ma, W. Shi, Physica B: Condensed Matter 403/1 (2008) 115.
C.-H. Li, J.-Z. Chen, I. Cheng, Journal of Applied Physics 114/8 (2013) 084503.
C.-H. Li, J.-Z. Chen, Journal of Alloys and Compounds 601 (2014) 223.
C.H. Ahn, M.G. Yun, S.Y. Lee, H.K. Cho, IEEE Transactions on Electron Devices 61 (2014) 73.
W.S. Kim, S.Y. Shin, J.W. Park, Journal of the Electrochemical Society 159/4 (2012) H353.
J.W. Park, W.S. Kim, Y.K. Moon, K.T. Kim, S.Y. Shin, B. Du Ahn, J.H. Lee, Electrochem Solid St 13/9 (2010) Ii295.
J. Biscaras, N. Bergeal, S. Hurand, C. Grossetête, A. Rastogi, R. Budhani, D. LeBoeuf, C. Proust, J. Lesueur, Physical review letters 108/24 (2012) 247004.
A. Ohtomo, H. Hwang, Nature 427/6973 (2004) 423.
A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, D. Maryenko, A. Ohtomo, M. Kawasaki, Nat Mater 9/11 (2010) 889.
Y. Chen, N. Pryds, J.E. Kleibeuker, G. Koster, J. Sun, E. Stamate, B. Shen, G. Rijnders, S. Linderoth, Nano letters 11/9 (2011) 3774.
H.-A. Chin, I.-C. Cheng, C.-I. Huang, Y.-R. Wu, W.-S. Lu, W.-L. Lee, J.Z. Chen, K.-C. Chiu, T.-S. Lin, Journal of Applied Physics 108/5 (2010) 054503.
S.-T. Lien, H.-C. Li, Y.-J. Yang, C.-C. Hsu, I.-C. Cheng, J.-Z. Chen, Journal of Physics D: Applied Physics 46/7 (2013) 075202.
H.A. Chin, I.C. Cheng, C.K. Li, Y.R. Wu, J.Z. Chen, W.S. Lu, W.L. Lee, J Phys D Appl Phys 44/45 (2011) 455101.
T.-H. Wu, J.-Z. Chen, C.-C. Hsu, I.-C. Cheng, Journal of Physics D: Applied Physics 47/25 (2014) 255102.
C.I. Huang, H.A. Chin, Y.R. Wu, I.C. Cheng, J.Z. Chen, K.C. Chiu, T.S. Lin, IEEE Transactions on Electron Devices 57/3 (2010) 696.