Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Heteroepitaxial GaAs trên oxit nhôm. I: Nghiên cứu giai đoạn đầu của sự lớn lên
Tóm tắt
Quá trình nucleation và sự phát triển ban đầu của các lớp GaAs được chuẩn bị từ trimethylgallium và arsine trên các substrat (0001) Al2O3 đã được khảo sát thông qua các phép đo điện và các kỹ thuật nhiễu xạ điện tử phản xạ và hiển vi điện tử. Giai đoạn đầu của quá trình phát triển GaAs, dưới các điều kiện phù hợp với sự hình thành phim epitaxial, dường như diễn ra thông qua việc hình thành nhiều hạt nhân riêng biệt, chúng kết hợp lại tạo thành các đảo lớn và cuối cùng tạo ra sự phủ bề mặt hoàn chỉnh. Kết quả từ phân tích nhiễu xạ điện tử cung cấp bằng chứng về mật độ khuyết tật cao gần giao diện với sự cải thiện đáng kể về chất lượng tinh thể khi độ dày của phim tăng lên. Các phép đo điện cho thấy lớp phim tại giao diện có loại p. Độ dày của lớp p thay đổi thường từ khoảng 1 đến khoảng 5 μm, tùy thuộc vào nồng độ tạp chất cho trong các khí phản ứng. Các lớp phim được phát hiện rằng chuyển sang loại n khi tiếp tục lớn lên, cho thấy rằng hành vi kiểu p có thể liên quan đến cấu trúc khuyết tật gần giao diện GaAs/Al2O3.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
H. M. Manasevit:Appl. Phys. Letters, 1968, vol. 12, p. 156.
H. M. Manasevit and W. I. Simpson:J. Electrochem. Soc. 1969, vol. 116, p. 1725.
R. Feder and T. Light:J. Appl. Phys., 1968, vol. 39, p. 4870.
American Inst. of Physics Handbook, McGraw-Hill Book Co., New York, 1963, pp. 4–72.
J. Black and P. Lublin:J. Appl. Phys., 1964, vol. 35, p. 2462.
F. J. Reid and L. B. Robinson: Proc. Symposium on Gallium Arsenide, C. I. Pedersen, ed., October, 1968, Dallas, Paper No. 10, p. 59.
Z. G. Pinsker.Electron Diffraction, p. 106 ff, Butterworths Scientific Publications, London, 1953.