Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory

Chinese Physics B - Tập 27 Số 9 - Trang 098501 - 2018
Jinshun Bi1,2, Kai Xi1, Bo Li1, Haibin Wang3, Lanlong Ji1, Jin Li1, Ming Liu1
1Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China
2University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China
3School of Internet of Things Engineering, Hohai University, Changzhou 213022, China

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Zheng Z W, 2011, Chin. Phys., 20

Liao Y M, 2017, Chin. Phys., 26

10.1109/TCSII.2001.913180

10.1109/TNS.2013.2262002

10.1109/23.490914

10.1109/TNS.1975.4328188

10.1016/j.microrel.2011.03.026

10.1109/TNS.2005.860681

10.1109/TNS.2012.2222928

10.1109/TNS.2011.2171717

10.1109/TNS.2010.2073485

10.1109/TNS.2010.2084592

10.1109/23.983199

10.1109/TNS.2004.839146

10.1109/RELPHY.2008.4558944

10.1109/TNS.2005.860725

10.1109/TNS.2013.2254497

10.1063/1.335409

10.1109/23.983177

10.1109/23.983179

10.1109/23.736457

10.1109/TNS.2009.2015879

Thông tin
Thông tin xuất bản

Chinese Physics B

Tập 27 Số 9

098501

Thông tin tác giả