Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự phát triển của các cấu trúc nan ZnS dạng bờm bằng cách sử dụng lò ống hai vùng nhiệt: đặc trưng cấu trúc và phát quang
Tóm tắt
Chúng tôi đã tổng hợp các nanoc sợi ZnS với các nhánh giống bờm bằng cách bay hơi nhiệt của bột ZnS trên nền Si(100) được phủ Au sử dụng lò ống hai vùng nhiệt. Bột ZnS và nền Si được giữ ở nhiệt độ lần lượt là 1.000 và 850 °C, trong khí nitơ trong quá trình tổng hợp các cấu trúc nan ZnS. Các phân tích bằng kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường, kính hiển vi điện tử truyền qua, quang phổ phát xạ X-quang phân tán năng lượng, nhiễu xạ X-quang và quang phổ phát quang (PL) đã được thực hiện nhằm điều tra cấu trúc, hình thái và các đặc tính phát quang của sản phẩm. Các nanoc sợi trục phát triển theo hướng [002] và có đường kính từ 100 đến 200 nm, trong khi đó các nanoc sợi nhánh phát triển theo hướng [101] và có đường kính và chiều dài lần lượt là 30–50 và 800–100 nm. Quang phổ PL ở nhiệt độ phòng với sự phù hợp Gaussian cho thấy hai băng phát sáng trong khoảng ánh sáng nhìn thấy tập trung xung quanh 397 và 458 nm.
Từ khóa
#ZnS nanowires #thermal evaporation #photoluminescence #structural characterization #scanning electron microscopyTài liệu tham khảo
T.V. Prevenslik, J. Lumin. 87–89, 1210 (2000). doi:10.1016/S0022-2313(99)00513-X
T. Yamamoto, S. Kishimoto, S. lida, Physica B 308, 916 (2001). doi:10.1016/S0921-4526(01)00842-0
S. Biswas, T. Ghoshal, S. Kar, S. Chakrabarti, S. Chaudhuri, Cryst. Growth Des. 8, 2171 (2008). doi:10.1021/cg800071g
Y.Q. Li, K. Zou, Y.Y. Shan, J.A. Zapien, S.T. Lee, J. Phys. Chem. B 110, 6759 (2006). doi:10.1021/jp055026x
L. Chai, J. Du, S. Xiong, H. Li, Y. Zhu, Y. Qian, J. Phys. Chem. C 111, 12658 (2007)
T.Y. Zhai, Z.J. Gu, Y. Ma, W.S. Yang, L.Y. Zhao, J.N. Yao, Mater. Chem. Phys. 100, 281 (2006). doi:10.1016/j.matchemphys.2005.12.044
X.J. Xu, G.T. Fei, W.H. Yu, X.W. Wang, L. Chen, L.D. Zhang, Nanotechnology 17, 426 (2006). doi:10.1088/0957-4484/17/2/013
X.P. Shen, M. Han, J.M. Hong, Z.L. Xue, Z. Xu, Chem. Vap. Depos. 11, 250 (2005). doi:10.1002/cvde.200406350
G.Z. Shen, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Funct. Mater. 15, 757 (2005). doi:10.1002/adfm.200500045
X. Fan, X.M. Meng, X.H. Zhang, W.S. Shi, W.J. Zhang, J.A. Zapien, C.S. Lee, S.T. Lee, Angew. Chem. Int. Ed. 45, 2568 (2006). doi:10.1002/anie.200504069
C. Ma, D. Moore, J. Li, Z.L. Wang, Adv. Mater. 15, 228 (2003). doi:10.1002/adma.200390052
J.Q. Hu, Y. Bando, D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 88, 123107 (2006). doi:10.1063/1.2186980