Giảm reng kích thước tinh thể AgGaGeS4 lớn cho chuyển đổi hồng ngoại

Frontiers of Optoelectronics - Tập 4 - Trang 137-140 - 2011
Haixin Wu1, Youbao Ni1, Chen Lin1, Mingsheng Mao1, Ganchao Cheng1, Zhenyou Wang1
1Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, China

Tóm tắt

Các tinh thể đơn tinh thể AgGaGeS4 (AGGS) đã được trồng trong lò Bridgman được cải tiến với đường kính 25 mm và chiều dài 70 mm. Quang phổ truyền dẫn của các lát AGGS được trồng đã được đo bằng quang phổ kế Hitachi 270–30, tinh thể thiết bị chế tạo có kích thước 5 mm×5 mm×3.5 mm và độ hấp thụ của nó là 0.04–0.15 cm−1. Việc nhân tần số gấp đôi của bức xạ laser 2.79 và 8 μm đã được nghiên cứu bằng cách sử dụng các tinh thể thiết bị chế tạo có độ dày lần lượt là 3.5 và 2.7 mm.

Từ khóa

#AgGaGeS4 #tinh thể đơn tinh thể #quang phổ truyền dẫn #chuyển đổi hồng ngoại #nhân tần số gấp đôi

Tài liệu tham khảo

Vodopyanov K L. Mid-infrared optical parametric generator with extra-wide (3–19 μm) tunability: applications for spectroscopy of two-dimensional electrons in quantum wells. Journal of the Optical Society of America. B, Optical Physics, 1999, 16(9): 1579–1586 Hsu Y K, Chen C W, Huang J Y, Pan C L, Zhang J Y, Chang C S. Erbium doped GaSe crystal for mid-IR applications. Optics Express, 2006, 14(12): 5484–5491 Werle P, Slemr F, Maurer K. Near-and mid infrared laser-optical sensors for gas analysis. Optics and Lasers in Engineering, 2002, 37(2–3): 101–114 Miyata K, Petrov V, Kato K. Phase-matching properties for AgGaGeS4. Applied Optics, 2007, 46(23): 5728–5731 Das S, Ghosh C, Gangopadhyay S, Andreev Y M, Badikov V V. AgGaGeS4 crystals for nonlinear laser device applications. Japanese Journal of Applied Physics, 2006, 45(7): 5795–5797 Petrov V, Badikov V, Shevyrdyaeva G, Panyutin V, Chizhikov V. Phase-matching properties and optical parametric amplification in single crystals of AgGaGeS4. Optical Materials, 2004, 26(3): 217–222 Yurchenko O M, Olekseyuk I D, Parasyuk O V, Pankevich V Z. Single crystal growth and properties of AgGaGeS4. Journal of Crystal Growth, 2005, 275: e1983–e1985 Schunemann P G, Zawilski K T, Pollak T M. Horizontal gradient freeze growth of AgGaGeS4 and AgGaGe5Se12. Journal of Crystal Growth, 2006, 287(2): 248–251 Tochitsky S Y, Petukhov V O, Gorobets V A, Churakov V V, Jakimovich V N. Efficient continuous-wave frequency doubling of a tunable CO2 laser in AgGaSe2. Applied Optics, 1997, 36(9): 1882–1888