Quá trình phát triển các cấu trúc nano Si và Ge trên các nền Si bằng công nghệ SiO/sub 2/ siêu mỏng

Sử dụng kính hiển vi điện tử quét phản xạ và kính hiển vi quét tunel (STM) ở nhiệt độ cao, chúng tôi nghiên cứu các quá trình phát triển cấu trúc nano Si và Ge trên các nền Si được phủ bằng các màng SiO/sub 2/ siêu mỏng. Các cửa sổ Si được hình thành trong các màng SiO/sub 2/ siêu mỏng bằng cách chiếu xạ các chùm điện tử tập trung được sử dụng cho SREM hoặc các chùm điện tử phát xạ trường từ các đầu STM trước hoặc trong quá trình nung nóng mẫu. Các nano đảo Ge chỉ được phát triển tại các vị trí cửa sổ Si bằng cách lắng đọng Ge lên các mẫu và sau đó tiến hành nung nóng chúng. Hơn nữa, các nano đảo Ge có kích thước khoảng 7 nm và mật độ cực cao (>10/sup 12//cm/sup 2/) được phát triển trên các màng SiO/sub 2/ siêu mỏng. Những nano đảo này có thể được điều khiển bởi STM khi chúng cách ly khỏi các nền Si bởi các màng SiO/sub 2/ siêu mỏng. Các nano đảo Si, Ge, Ge/Si và Si/Ge/Si cũng có thể được phát triển trên các cửa sổ Si bằng cách phát triển chọn lọc sử dụng các khí Si/sub 2/H/sub 6/ và GeH/sub 4/. Những nano đảo này được phát hiện là ổn định trên các cửa sổ Si trong quá trình nung nóng ở nhiệt độ cao. Những kết quả này chỉ ra rằng công nghệ SiO/sub 2/ siêu mỏng rất hữu ích cho việc phát triển các cấu trúc nano Si và Ge trên các khu vực nhất định.