Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tăng trưởng và Khảo sát GaAs LPE trên nền Si được phủ GaAs chuẩn bị bởi MBE
Tóm tắt
GaAs đã được phát triển thành công bằng phương pháp LPE trên nền GaAs trên Si được chuẩn bị bằng MBE có bề mặt được phủ một phần (có cửa sổ). Các lớp gần như không có khuyết tật đã được thu được trong các cửa sổ dải hẹp. Các lớp được phát triển đã được đặc trưng hóa bằng phương pháp phát quang và đo đạc hiệu ứng Hall. Độ phân cực phát quang chỉ ra rằng một ứng suất kéo một trục dọc theo hướng dải được áp dụng trong lớp LPE dải mesa trong khi nó là hai trục trong lớp GaAs rộng trên Si. Việc giãn nở ứng suất theo hướng vuông góc với dải được thảo luận.
Từ khóa
#GaAs #LPE #MBE #photoluminescence #hiệu ứng Hall #ứng suất #giãn nở ứng suấtTài liệu tham khảo
T. Soga, S. Hattori, S. Sakai, M. Takeyasu and M. Umeno, Electron. Lett. 20,916 (1984).
R. Fischer, D. Neuman, H. Zabel, H. Morkoc, C. Choi and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 48, 1223 (1986).
J. W. Lee, H. Shichijo, H. L. Tsai and R. J. Matyi, Appl. Phys. Lett. 50, 31 (1987).
C. Choi, N. Otsuka, G. Munns, R. Houdre, H. Morkoc, S. L. Zhang, D. Levi and M. V. Klein, Appl. Phys. Lett. 50, 992 (1987).
S. Sakai, R. J. Matyi and H. Shichijo, Appl. Phys. Lett. 51, 1913 (1987).
S. Sakai, R. J. Matyi and H. Shichijo, J. Appl. Phys. 63 (1988).
S. Sakai, R. J. Matyi and H. Shichijo, to be in Proceedings of the SPIE Conf. “Growth of compound semiconductors”, (March, 1988)
R. J. Matyi, H. Shichijo, T. M. Moore and H-L. Tsai, Appl. Phys. Lett. 51, 18 (1987).
E. Suhir, Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol. 91 “Heteroepitaxy on Si II”, pp. 73 (1987).