Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor

Reports on Progress in Physics - Tập 72 Số 12 - Trang 126501 - 2009
Anderson Janotti1, Chris G. Van de Walle1
1Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106‐5050 (USA)

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1016/S0921-5107(00)00604-8

10.1063/1.1992666

Ogale S B, 2005, Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics, 10.1007/b136780

10.1007/1-4020-3475-X

Jagadish C, 2006, Zinc Oxide Bulk, Thin Films, and Nanostructures

10.1016/0022-3697(60)90104-9

10.1016/0038-1098(95)00054-2

10.1103/PhysRevB.60.2340

10.1063/1.368595

10.1063/1.367375

10.1016/0038-1098(96)00340-7

10.1063/1.118824

Brown M E, 1957, ZnO-Rediscovered

10.1103/PhysRevLett.85.1012

10.1103/PhysRevB.61.15019

10.1016/S0921-4526(01)00830-4

10.1103/PhysRevB.63.075205

10.1063/1.1380994

10.1103/PhysRevB.64.085120

10.1063/1.2053360

10.1103/PhysRevB.72.085213

10.1016/j.jcrysgro.2005.10.043

10.1103/PhysRevB.73.115207

10.1103/PhysRevB.72.035215

10.1103/PhysRevLett.98.045501

Patterson C H, 2006, Phys. Rev. Lett., 74, 144432

Janotti A, 2007, Phys. Rev., 6, 44

10.1103/PhysRevB.76.165202

10.1103/PhysRevB.77.205202

10.1103/PhysRevB.77.245202

Nakamura S, 2000, Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes, 10.1201/9781482268065

Lannoo M, 1981, Point Defects in Semiconductors I: Theoretical Aspects, 10.1007/978-3-642-81574-4

Lannoo M, 1983, Point Defects in Semiconductors II: Experimental Aspects

Pantelides S T, 1992, Deep Centers in Semiconductors: A State-of-the-Art Approach

Stavola M, 1999, Identification of Defects in Semiconductors, Semiconductors and Semimetals, 51B

10.1103/PhysRev.93.52

10.1103/PhysRev.108.222

10.1016/0022-3697(57)90027-6

10.1063/1.1732035

10.1007/BF01400479

10.1007/BF01392847

10.1002/pssa.2210240232

Kröger F A, 1974, The Chemistry of Imperfect Crystals

10.1007/BF01315071

10.1007/BF01313299

10.1016/0022-4596(76)90044-X

Neumann G, 1981, Current Topics in Materials Science, 7, 152

10.1103/PhysRevB.72.035203

10.1103/PhysRevB.71.125210

10.1103/PhysRevLett.86.2601

10.1103/PhysRevLett.88.045504

10.1063/1.1520703

10.1063/1.1743165

10.1103/PhysRevLett.96.205504

10.1103/PhysRevB.72.113201

10.1103/PhysRevB.72.195211

10.1016/j.physb.2007.08.186

10.1103/PhysRevB.66.073202

10.1103/PhysRevB.70.115210

10.1103/PhysRevB.71.155205

Harrison W A, 1999, Elementary Electronic Structure, 10.1142/4121

10.1143/JJAP.36.L1453

10.1143/JJAP.38.L1205

10.1063/1.1504875

10.1063/1.126599

10.1063/1.1591064

10.1016/S0022-0248(00)00437-1

10.1063/1.1590423

10.1063/1.2089183

10.1063/1.2908968

10.1038/nmat1284

10.1103/PhysRevLett.92.155504

10.1143/JJAP.44.7271

10.1016/j.spmi.2005.08.056

10.1016/j.susc.2007.09.030

10.1557/jmr.2008.0300

10.1063/1.3052930

10.1016/S0038-1098(97)10145-4

Maeda K, 2005, Semicond. Sci. Technol., 20, S49, 10.1088/0268-1242/20/4/006

Triboulet R, 2005, Zinc Oxide-A Material for Micro- and Optoelectronic Applications

Ohtomo A, 2005, Semicond. Sci. Technol., 20, S1, 10.1088/0268-1242/20/4/001

10.1016/j.jcrysgro.2007.07.024

10.1016/j.jcrysgro.2004.08.030

10.1016/j.jcrysgro.2008.04.032

10.1002/pssc.200779197

Madelung O, 1996, Semiconductors-Basic Data, 10.1007/978-3-642-97675-9

10.1103/PhysRevLett.82.2278

10.1126/science.1060367

10.1016/S0022-0248(00)00731-4

10.1063/1.2178470

10.1063/1.3012579

Yu P Y, 2005, Fundamentals of Semiconductors

10.1016/S0040-6090(96)08864-5

10.1016/S0040-6090(99)00050-4

10.1023/A:1009965432447

10.1016/S0022-0248(99)00610-7

10.1063/1.328100

10.1023/A:1023929524641

10.1016/S0026-2692(03)00198-8

10.1063/1.367959

Shionoya S, 1997, Phosphor Handbook By Phosphor Research Society

Nanto H, 1991, Solid-State Sensors and Actuators, 24-27, 596

10.1109/57.44606

10.1007/s00340-005-2022-z

10.1063/1.1426234

10.1007/s11664-006-0098-9

Suscavag M, 1999, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.40

10.1016/j.jcrysgro.2003.08.019

10.1063/1.1691186

Nause J, 2005, Semicond. Sci. Technol., 20, S45, 10.1088/0268-1242/20/4/005

10.1016/S0040-6090(96)08744-5

10.1063/1.354152

10.1103/PhysRevB.72.085206

10.1103/PhysRevLett.82.2552

10.1063/1.121384

10.1063/1.1315340

10.1016/S0038-1098(01)00244-7

10.1063/1.1350632

10.1063/1.1767273

10.1063/1.1620674

10.1038/nature03090

10.1063/1.1542677

10.1063/1.1712015

Heiland H, 1959, Solid State Phys., 8, 191, 10.1016/S0081-1947(08)60481-6

Scharowski E, 1953, Z. Phys., 135, 138

10.1007/BF00550885

10.1016/0022-0248(72)90316-8

10.1021/j100834a511

10.1111/j.1151-2916.1964.tb14632.x

10.1103/PhysRevLett.91.205502

10.1063/1.373643

10.1063/1.1615834

10.1016/S0022-0248(00)00952-0

10.1016/S0022-0248(03)01205-3

10.1016/S0022-0248(03)01003-0

10.1016/S0022-0248(03)01007-8

10.1016/j.jcrysgro.2003.07.002

10.1016/S0022-0248(03)01241-7

10.1063/1.1739280

10.1016/j.jcrysgro.2003.12.059

10.1016/j.jcrysgro.2003.12.061

10.1063/1.2434170

10.1002/pssb.200675102

10.1007/s00339-007-3959-z

10.1016/j.pcrysgrow.2005.01.003

10.1116/1.1714985

Grundmann M, 2005, Zinc Oxide-A Material for Micro- and Optoelectronic Applications

Gupta V, 2006, Zinc Oxide Bulk, Thin Films, and Nanostructures

Coutts T J, 2006, Zinc Oxide Bulk, Thin Films, and Nanostructures

10.1007/BF02666649

10.1063/1.2437679

Kittel C, 2005, Introduction to Solid State Physics

10.1063/1.1682673

10.1103/PhysRevB.45.10965

Dean J A, 1992, Lange's Handbook of Chemistry

10.1103/PhysRevB.51.4014

10.1103/PhysRevB.71.035206

10.1103/PhysRevLett.102.016402

10.1016/S0080-8784(08)62975-0

Neumann G, 1981, Current Topics in Materials Science, 7

Glicksman M E, 2000, Diffusion in Solids: Field Theory, Solid-State Principles and Applications

10.1103/PhysRevLett.62.1049

10.1103/PhysRevB.69.035207

10.1103/PhysRevLett.92.085901

Watkins G D, 1976, Radiation Effects in Semiconductors, 95

10.1103/PhysRevLett.81.2084

10.1103/PhysRevB.69.115212

Coskun C, 2004, Semicond. Sci. Technol., 19, 752, 10.1088/0268-1242/19/6/016

10.1016/0022-3697(57)90059-8

10.1103/PhysRevB.74.045202

10.1016/0375-9601(70)90199-4

10.1002/pssb.2220720134

10.1002/pssb.2220770239

Schneider J, 1961, Z. Naturf., 16, 712, 10.1515/zna-1961-0708

10.1103/PhysRev.130.989

10.1016/0031-9163(63)90604-8

10.1016/0031-9163(64)90631-6

10.1143/JPSJ.21.2743

10.1016/0039-6028(70)90059-2

10.1002/pssa.2210040311

10.1002/pssa.2210130131

10.1002/pssa.2211150127

10.1002/pssa.2211210123

10.1016/S0022-2313(96)00096-8

10.1016/S0921-4526(01)00850-X

10.1063/1.1450041

10.1016/0038-1098(70)90042-6

10.1016/0022-3697(94)90220-8

Neumann G, 1981, Current Topics in Materials Science, 7, 269

10.1002/1521-3951(200107)226:1<R4::AID-PSSB99994>3.0.CO;2-F

10.1016/j.physb.2003.09.031

10.1007/s00339-007-3956-2

10.1063/1.2833432

10.1016/0038-1098(74)90401-3

10.1002/pssa.200404809

10.1016/0375-9601(70)90614-6

10.1016/0022-3697(73)90084-X

10.1016/S0038-1098(96)00697-7

10.1016/S0038-1098(98)00048-9

10.1063/1.1394173

10.1103/PhysRevLett.23.579

10.1103/PhysRevB.42.1423

10.1063/1.117767

10.1063/1.1740044

10.1063/1.368295

10.1063/1.362349

10.1143/JJAP.36.L289

10.1103/PhysRevB.66.165205

10.1103/PhysRevLett.95.225502

10.1063/1.371832

10.1063/1.1931823

10.1063/1.351309

10.1063/1.1331089

10.1103/PhysRevB.25.6049

10.1063/1.351977

Hu J, 1993, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 891, 10.1557/PROC-283-891

10.1063/1.349794

10.1016/0379-6787(91)90076-2

Pankove J I, 1991, Hydrogen in Semiconductors, Semiconductors and Semimetals, 34

Van de Walle C G, 1998, Gallium Nitride (GaN) II, 157, 10.1016/S0080-8784(08)62617-4

10.1146/annurev.matsci.36.010705.155428

10.1143/JJAP.36.L1078

10.1007/BF01340694

10.1016/0022-3697(57)90053-7

10.1063/1.119218

10.1063/1.111401

10.1016/0022-3697(86)90031-4

10.1016/0022-3697(60)90255-9

Kolb E D, 1965, J. Electrochem. Soc., 48, 344

10.1016/0022-3697(68)90193-5

10.1007/s00339-007-3962-4

10.1016/j.physb.2005.12.177

10.1063/1.2236225

10.1103/PhysRevLett.86.2834

10.1002/pssb.2220760210

10.1103/PhysRev.132.1559

10.1016/S0921-4526(01)00877-8

10.1143/JJAP.40.L177

10.1002/pssb.200301962

10.1002/pssr.200802215

10.1063/1.2759181

10.1103/PhysRevLett.96.045504

10.1103/PhysRevB.47.9425

10.1103/PhysRevB.28.946

10.1063/1.105641

10.1103/PhysRevB.73.024117

10.1063/1.116027

10.1143/JJAP.38.L166

10.1103/PhysRevB.63.245205

10.1016/S0921-4526(01)00418-5

10.1103/PhysRevLett.86.5723

10.1103/PhysRevLett.98.135506

10.1063/1.3065535

10.1002/pssb.200844347

10.1063/1.2711289

10.1103/PhysRevB.76.115204

10.1103/PhysRevB.78.195205

10.1126/science.1137430

10.1063/1.3028338

10.1143/APEX.1.091202

10.1016/j.mejo.2008.06.067

10.1103/PhysRevB.39.1871

10.1103/PhysRevB.75.121201

10.1103/PhysRevLett.62.2028

10.1063/1.118924

10.1103/PhysRevB.50.8067

Neugebauer J, 1996, Festkörperprobleme/Advances in Solid State Physics, 35, 25