Frequency-dependent capacitance-voltage characteristics for amorphous silicon-based metal-insulator-semiconductor structures

IEEE Transactions on Electron Devices - Tập 39 Số 11 - Trang 2515-2522 - 1992
Jae Gu Choi1, G.W. Neudeck1
1School of Electrical Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1080/14786437008221061

10.1103/PhysRevLett.22.1065

10.1063/1.331366

10.1016/0038-1101(68)90086-5

daniel, 1967, Dielectric Relaxation, 1

10.1016/0038-1101(91)90070-F

10.1016/0038-1101(86)90146-2

1983, HP4275A operating manual

chung, 1987, Modeling of hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors

Thông tin
Thông tin xuất bản

IEEE Transactions on Electron Devices

Tập 39 Số 11

2515-2522

Thông tin tác giả