First-principles XANES simulation for oxygen-related defects in Si-O amorphous materials

Computational Materials Science - Tập 196 - Trang 110555 - 2021
Wataru Katayama1, Tomoyuki Tamura1, Yuya Nishino1, Takakazu Hirose2
1Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555 Japan
2Research & Development Department Yokonodaira Laboratory, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Annaka, Gunma 379-0125, Japan

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Computational Materials Science

Tập 196

110555

Thông tin tác giả