Diode phát xạ trường dựa trên tiếp giáp bán dẫn - kim cương polycrystalline

Pleiades Publishing Ltd - Tập 59 - Trang 1531-1535 - 2014
V. A. Bespalov1, E. A. Il’ichev1, A. E. Kuleshov1, D. M. Migunov1, R. M. Nabiev1, G. N. Petrukhin1, G. S. Rychkov1, O. A. Sakharov1, Yu. V. Shcherbakhin1
1National Research University of Electronic Technology (MIET), Zelenograd, Moscow, Russia

Tóm tắt

Một loạt các nghiên cứu điện lý và công nghệ phức tạp về diode phát xạ trường rắn được tiến hành. Phát xạ phát sinh từ một mảng các vật thể có kích thước nanomet gần giao diện bán dẫn - kim cương polycrystalline. Quy trình chế tạo của các cấu trúc không đồng nhất của diode bao gồm việc chế tạo các mặt nạ có kích thước nanomet và các mảng nón (đầu) nanomet, cũng như sự phát triển các lớp phim kim cương polycrystalline trên bề mặt của cấu trúc với các mảng nón có kích thước nanomet dưới sự hỗ trợ của plasma. Trong các diode phát xạ trường được hình thành như vậy, mật độ dòng cao tới 20 A/cm2 đạt được tại ngưỡng phát xạ trường từ các mảng nanotip vào kim cương khoảng 0,5 V.

Từ khóa

#diode phát xạ trường #tiếp giáp bán dẫn #kim cương polycrystalline #cấu trúc không đồng nhất #mật độ dòng

Tài liệu tham khảo

K. Veda, M. Kasu, Y. Yamauchi, et al., IEEE Electron Device Lett. 27, 570 (2006). N. Vikulov and N. Kichaeva, Elektronika: Nauka Tekhnol. Biznes, No. 5, 70 (2008). J. K. Ha, B. H. Chung, S. Y. Han, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2080 (2002). N. De Jonge and J. M. Bonard, Philos. Trans. R. Soc. London 362, 2239 (2004). E. A. Il’ichev, V. N. Inkin, D. M. Migunov, G. N. Petrukhin, E. A. Poltoratskii, G. S. Rychkov, and D. V. Shkodin, Tech. Phys. Lett. 36, 170 (2010). V. V. Dvorkin, N. N. Dzbanovsky, N. V. Suetin, E. A. Poltoratsky, G. S. Richkov, E. A. Il’ichev, and S. A. Gavrilov, Diamond Relat. Mater. 12, 2208 (2003).