Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chế tạo màng mỏng piezoelectric oxit kẽm trong màng composite của cảm biến siêu âm vi mô
Tóm tắt
Bài báo trình bày về việc chế tạo các lớp piezoelectric mỏng trên nền silicon bằng phương pháp phun từ magnetron dc và dc xung. Sự ảnh hưởng của các loại bề mặt khác nhau, điều kiện lắng đọng cũng như quá trình ổn định nhiệt đến các thuộc tính của lớp piezoelectric đã được nghiên cứu. Kết quả nghiên cứu quang phổ nhiễu xạ cho các bộ phim ZnO mỏng đã được trình bày và thảo luận. Việc lựa chọn các thông số quy trình công nghệ cho sản xuất các lớp ZnO mỏng trong màng cảm biến với sóng siêu âm được sinh ra đã được phân tích.
Từ khóa
#màng piezoelectric #oxit kẽm #cảm biến siêu âm #lắng đọng #quang phổ nhiễu xạTài liệu tham khảo
J. Go l e¸ BIOWSKI, Elektronizacja 9 (1997) 17.
Idem., Proceedings SPIE Optoelectronic and Electronic Sensors 2634 (1995) 191.
K. Uozumi, K. Ohsone and R. M. White, Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 917.
L. P. Solie, J. Appl. Phys. 44 (1973) 619.
E. A. Irene, J. Electronic Mater. 5 (1976) 287.
F. S. Hickernell, J. Appl. Phys. 44 (1973) 1061.
O. Yamazaki, T. Mitsuyu and K. Wasa, IEEE Trans. Sonic Ultrason. 27 (1980) 369.
J. Goree and T. E. Sheridan, Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 9.
D. F. L. Jenkis, M. J. Cunningham, G. V ELU and D. Remiens, Sensors and Actuators A63 (1997) 135.
T. Saeed and P. O'brien, Thin Solid Films 271 (1995) 35.
S. S. Schwartz, S. J. Martin, S. Datta and R.L. Gunshor, IEEE Trans. on Ultrason., Ferrelectr. and Freq. Control 36 (1989) 150.
Y. Manabe and T. Mitsuyu, Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) 334.