Fabrication of Cu-Ni mixed phase layer using DC electroplating and suppression of Kirkendall voids in Sn-Ag-Cu solder joints

W. Yang, R. W. Zeng, and L. E. Felton, J. Electron. Mater. 23, 765 (1994).

C. Y. Liu, K. N. Tu, T. T. Sheng, C. H. Tung, D. R. Frear, and P. Elenius, J. Appl. Phys. 87, 750 (2000).

S. Ahat, M. Sheng, and L. Luo, J. Electron. Mater. 30, 1317 (2001).

K. N. Tu and K. Zeng, Mater. Sci. Eng. R 34, 1 (2001).

K. Zemg and K. N. Tu, Mater. Sci. Eng. R 38, 55 (2002).

P. T. Vianco, J. A. Rejent, and P. F. Hlava, J. Electron. Mater. 33, 991 (2004).

T. Laurila, V. Vuorinen, and J. K. Kivilahti, Mater. Sci. Eng. R 49, 1 (2005).

K. Zeng, R. Stierman, T.-C. Chiu, and D. Edwards, J. Appl. Phys. 97, 024508 (2005).

T. Laurila, V. Vuorinen, and J. K. Kivilahti, Mater. Sci. Eng. R 49, 1 (2005).

Z. Mei, M. Ahmad, M. Hu, and G. Ramakrishna, Proc. 55 th Electronic Components & Technology Conference (ECTC), p. 415, IEEE-CPMT, Lake Buena Vista, USA (2005).

W. Pend, E. Monlevade, and M. E. Marques, Microelectron. Reliab. 47, 2161 (2007).

C. E. Ho, S. C. Yang, and C. R. Kao, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 18, 155 (2007).

L. Yin, P. Kondos, P. Borgesen, Y. Liu, S. Bliznakov, F. Wafula, N. Dimitrov, D. W. Henderson, C. Parks, M. Gao, J. Therriault, J. Wang, and E. Cotts, Proc. 59 th ECTC, p. 406, IEEE-CPMT, San Diego, USA (2009).

J. Zou, L. Mo, F. Wu, B. Wang, H. Liu, J. Zhang, and Y. Wu, Proc. 11 th International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging (ICEPTHDP), p. 944, IEEE-CPMT, Xi’an, China (2010).

T. -C. Chiu, K. Zeng, R. Stierman, D. Edwards, and K. Ano, Proc. 54 th ECTC, p. 1256, IEEE-CPMT, Las Vegas, USA (2004).

L. Xu and J. H. L. Pang, Proc. 55 th ECTC, p. 863, IEEECPMT, Lake Buena Vista, USA (2005).

L. Xu and J. H. L. Pang, Proc. 56 th ECTC, p. 275, IEEECPMT, Orlando, USA (2006).

W. Peng and M. E. Marques, J. Electron. Mater. 36, 1679 (2007).

L. Xu, J. H. L. Pang, and F. Che, J. Electron. Mater. 37, 1679 (2008).

J. Y. Kim, J. Yu, and S. H. Kim, Acta Mater. 57, 5001 (2009).

H. Nakano, H. Suzuki, T. Haba, H. Yoshida, A. Chinda, and H. Akahoshi, Proc. 60 th ECTC, p. 612, IEEE-CPMT, Las Vegas, USA (2010).

T. Funaya, T. Buisson, I. D. Preter, E. Beyne, and F. Iker, Proc. 60 th ECTC, p. 1575, IEEE-CPMT, Las Vegas, USA (2010).

Y. M. Kim. C.-Y. Oh, H.-R. Roh, and Y.-H. Kim, Proc. 59th ECTC, p. 1008, IEEE-CPMT, San Diego, USA (2009).

C.-Y. Yu, K.-J. Wang, and J.-G. Duh, J. Electron. Mater. 39, 230 (2010).

T. M. Korhonen, P. Su, S. J. Hong, M. A. Korhonen, and C. Y. Li, J. Electron. Mater. 29, 1194 (2000).

A. Zribi, A. Clark, L. Zavalij, P. Borgesen, and E. J. Cotts, J. Electron. Mater. 30, 1157 (2001).

K. Y. Lee, M. Li, and K. N. Tu, J. Mater. Res. 18, 2562 (2003).

G. Zeng, S. Xue, L. Zhang, L. Gao, W. Dai, and J. Luo, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 21, 421 (2010).

E. Hayashi, Y. Kurokawa, and Y. Fukai, Phys. Rev. Lett. 80, 5588 (1998).

S.-W. Chen, S.-H. Wu, and S.-W. Lee, J. Electron. Mater. 32, 1188 (2003).

S. J. Wang and C. Y. Liu, J. Electron. Mater. 32, 1303 (2003).

R. Labie, W. Ruythooren, and J. V. Humbeeck, Intermetallics 15, 396 (2007).

V. Vuorinen, T. Laurila, T. Mattila, E. Heikinheimo, and J. K. Kivilahti, J. Electron. Mater. 36, 1355 (2007).

F. Gao, J. Qu, and T. Takemoto, Proc. 59 th ECTC, p. 1014, EEE-CPMT, San Diego, USA (2009).

S.-H. Huh, K.-D. Kim, K.-S. Kim, and J.-S. Jang, Electron. Mater. Lett. 8, 59 (2012).

H. D. Blair, T. Y. Pan, and J. M. Nicholson, Proc. 48 th ECTC, p. 256, IEEE-CPMT, Seattle, USA (1998).