Extremely low room-temperature threshold current density diode lasers using InAs dots in In0.15Ga0.85As quantum well

Electronics Letters - Tập 35 Số 14 - Trang 1163 - 1999
G.T. Liu1, A. Stintz2, H. Li2, Kevin J. Malloy2, L. F. Lester2
1Center for High Technol. Mater., New Mexico Univ., Albuquerque, NM, USA
2University of New Mexico, Albuquerque, United States

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Arakawa, 1982, 40, 939, 10.1063/1.92959

Schäfer, 1999, 74, 2915, 10.1063/1.123964

Lester, 1999

Ustinov, 1999, 74, 2815, 10.1063/1.124023

Sugawara, 1997, 71, 2791, 10.1063/1.120135

Huffaker, 1998, 73, 2564, 10.1063/1.122534

Chand, 1991, 58, 1704, 10.1063/1.105114

Turner, 1998, 72, 876, 10.1063/1.120922

Thông tin
Thông tin xuất bản

Electronics Letters

Tập 35 Số 14

1163

Thông tin tác giả