Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu thực nghiệm về ảnh hưởng của nhiệt độ và bức xạ electron lên các bộ khuếch đại sợi quang doped erbium
Tóm tắt
Chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ đến độ lợi của bộ khuếch đại sợi quang doped erbium (EDFA) bơm ở bước sóng 980 nm trước và sau khi bức xạ electron. Kết quả thực nghiệm chỉ ra rằng trong quá trình bức xạ, độ lợi của EDFA ở nhiệt độ thấp kém hơn so với ở nhiệt độ cao, nhưng sau 7 ngày phục hồi, độ lợi của EDFA ở nhiệt độ thấp cao hơn đáng kể so với ở nhiệt độ cao. Sau khi bức xạ electron 200 krad, độ lợi của EDFA nhạy cảm hơn với nhiệt độ so với mẫu không bị bức xạ.
Từ khóa
#bộ khuếch đại sợi quang #bức xạ electron #nhiệt độ #độ lợi #doped erbiumTài liệu tham khảo
C. Berkdemir and S. Özsoy, IEEE J. Lightwave Technol., 27, 1122 (2009).
S. Coenen and M. Decreton, IEEE T. Nucl. Sci., 40, 851 (1993).
J. H. Lee, W. J. Lee, and N. Park, IEEE Photon. Tech. L., 10, 1721 (1998).
C. Berkdemir and S. Özsoy, Opt. Quantum Electron., 37, 789 (2005).
Y. Ishii, S. Okude, K. Nishide, et al., “Temperature dependence compensation on EDFA gain profile using a phase-shifted long-period fiber grating,” in: Optical Amplifiers and Their Applications, Stresa, Italy, July 1, 2001, OSA Technical Digest Series, Optical Society of America (2001), paper JW3.
U.-C. Ryu, Y.-E. Im, K. Oh, et al., Electron. Lett., 39, 975 (2003).
D. L. Griscom, M. E.Gingerich, and E. J. Friebele, IEEE Trans. Nucl. Sci., 41, 523 (1994).